[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，可抑制铝溅出。半导体装置具有：电极焊盘，配置在半导体基板的上部；及引线，接合于上述电极焊盘且含有铜。上述电极焊盘具有含有铝的电极层和比上述引线及上述电极层硬的支撑层。上述引线与上述电极层及上述支撑层接触。通过上述支撑层来支撑上述引线，抑制了上述电极层的变形。由此，可抑制铝溅出。

技术领域

本说明书公开的技术涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

专利文献1公开了一种在铝制的电极焊盘上接合铜制的引线的技术。引线比电极焊盘硬，因此在接合时，电极焊盘被引线压扁，构成电极焊盘的材料被从引线的下部向外周侧压出。其结果是，在接合部的周围，电极焊盘隆起。该现象通常称为铝溅出(aluminumsplash)。当产生了铝溅出时，难以实现电极焊盘的小型化。在专利文献1的技术中，通过在电极焊盘的下部局部性地设置层间膜来抑制铝溅出。

在先技术文献

专利文献1：日本特开2012-109419号公报

发明内容

发明要解决的课题

在专利文献1的技术中，无法充分地抑制铝溅出。在本说明书中，提供一种更良好地抑制铝溅出的技术。

用于解决课题的方案

本说明书公开的半导体装置具有：电极焊盘，配置在半导体基板的上部；及引线，接合于上述电极焊盘且含有铜。上述电极焊盘具有含有铝的电极层和比上述引线及上述电极层硬的支撑层。上述引线与上述电极层及上述支撑层接触。

另外，在本说明书中，硬度是指维氏硬度。

该半导体装置的电极焊盘具有电极层和支撑层。含有铝的电极层比含有铜的引线软。支撑层比引线及电极层硬。引线与电极层及支撑层接触。即，引线以与电极层及支撑层接触的方式被接合。在接合时，从引线向电极层和支撑层施加载荷。此时，较硬的支撑层几乎不太变形，其结果是，也抑制了电极层的变形。因此，抑制了在电极层产生铝溅出。而且，含有铜的引线与含有铝的电极层被良好地连接。因此，根据该构造的半导体装置，能够抑制铝溅出，并能够将引线良好地连接于电极焊盘。

另外，本说明书提供一种半导体装置的新的制造方法。该制造方法具有将含有铜的引线接合于在半导体基板的上部配置的电极焊盘的工序。上述电极焊盘具有含有铝的电极层和比上述引线及上述电极层硬的支撑层。在进行接合的上述工序中，以使上述引线与上述电极层及上述支撑层接触的方式将上述引线接合于上述电极焊盘。

根据该结构，在进行接合的工序中，较硬的支撑层几乎不太变形，其结果是，也抑制了电极层的变形。因此，能够抑制铝溅出。

附图说明

图1是半导体装置的俯视图。

图2是信号用电极焊盘16的放大俯视图。

图3是信号用电极焊盘16和引线20的放大剖视图。

图4是接合工序的说明图。

图5是接合工序的说明图。

图6是变形例的信号用电极焊盘的放大俯视图。

图7是变形例的信号用电极焊盘的放大俯视图。

图8是变形例的信号用电极焊盘的放大俯视图。

图9是变形例的信号用电极焊盘的放大俯视图。

图10是变形例的信号用电极焊盘的放大剖视图。

具体实施方式