[发明专利]像素单元及其制造方法以及成像装置

摘要

本公开涉及像素单元及其制造方法以及成像装置。像素单元可以包括衬底，该衬底包括用于光电器件的第一部分和用于与光电器件耦合的晶体管的第二部分。第一部分包括第一掺杂区。第二部分包括：与第一掺杂区相邻的沟道形成区，其中沟道形成区的导电类型与第一掺杂区的导电类型相反；以及与所述沟道形成区相邻的第二掺杂区。像素单元还包括在衬底之上的第一绝缘层，其中第一绝缘层至少覆盖第一部分的一部分并且至少覆盖第二部分的沟道形成区；在沟道形成区之上的栅极结构；以及在第一绝缘层在第一部分的所述一部分上形成的偏置电极结构。

主权项

1.一种像素单元，其特征在于，包括：衬底，包括用于光电器件的第一部分和用于与所述光电器件耦合的晶体管的第二部分，其中所述第一部分包括第一掺杂区；所述第二部分包括：与所述第一掺杂区相邻的沟道形成区，其中所述沟道形成区的导电类型与所述第一掺杂区的导电类型相反，以及与所述沟道形成区相邻的第二掺杂区；在所述衬底之上的第一绝缘层，其中所述第一绝缘层至少覆盖所述第一部分的一部分并且至少覆盖所述第二部分的沟道形成区；在所述沟道形成区之上的栅极结构；以及在所述第一绝缘层在所述第一部分的所述一部分上形成的偏置电极结构。