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[发明专利]射频移相装置-CN201810886147.3有效
发明人： F.格尔登;A.格布勒;O.H.卡拉贝伊 -专利权人：艾尔康系统有限责任公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：带有线性传送线（4）的移相装置（17）包括彼此间隔有距离的第一电极（5）和第二电极（6），其中可调谐介电材料被布置在第一电极（5）与第二电极（6）之间。传送线（4）包括几个重叠区段（12），其中第一电极（5）的重叠区域（10）重叠第二电极（6）的重叠区域（11）以便提供影响沿传送线（4）传播的电磁信号的相位的平行板电容器区域（13）。第一电极（5）和第二电极（6）被电连接到偏置电压源，由此第一电极（5）被连接到第一偏置电极（15），第一偏置电极被连接到偏置电压源，并且由此第二电极（6）被连接到第二偏置电极（16），第二偏置电极被连接到偏置电压源，由此第一和第二偏置电极（15，16）由带有比第一和第二电极（5，6）的导电率更低的导电率的材料构成。
射频装置

[发明专利]MEMS传感器以及提供和运行MEMS传感器的方法-CN201810865573.9有效
发明人： A·德厄;M·菲尔德纳;A·韦斯鲍尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：MEMS传感器包括具有可移动电极和定子电极的MEMS装置，定子电极与可移动电极相对地布置。MEMS传感器包括连接到定子电极的第一偏置电压源，第一偏置电压源被配置为将第一偏置电压施加到定子电极。MEMS传感器还包括通过电容耦合连接到定子电极的共模读出电路，共模读出电路包括第二偏置电压源，第二偏置电压源被选择为将第二偏置电压施加到电容耦合的背离定子电极的一侧。
mems 传感器以及提供运行方法

[发明专利]射频偏置溅射装置及溅射方法-CN201610132641.1在审
发明人：石永敬 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频偏置溅射装置及溅射方法。所述射频偏置溅射装置包括真空室、偏置对应电极、至少两个辅助磁极、至少一个非平衡磁控电极以及两个射频电源，每一非平衡磁控电极设有非平衡磁场，所述偏置对应电极和至少两个辅助磁极固定在真空室内的一端，至少两个辅助磁极对称分布在偏置对应电极的两侧，所述至少一非平衡磁控电极固定在真空室内的另一端，所述偏置对应电极和非平衡磁控电极分别与射频电源电连接，所述偏置对应电极与真空室绝缘，所述至少两个辅助磁极与非平衡磁控电极形成闭合场。利用射频偏置溅射装置能制备出高致密度电解质膜，且过程稳定。
射频偏置溅射装置方法

[发明专利]半导体电路控制方法和应用其的功率转换器-CN202080090750.6在审
发明人：三好智之;铃木弘 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：响应对栅极控制型二极管(203)的栅极电极(81)施加的电压，在半导体衬底内控制漂移区域(87)的载流子浓度。在反向恢复状态时，对栅极电极(81)与阳极电极(86)之间施加使栅极电极(81)的界面上产生电子层的零偏置或正偏置的电压信号。在正向恢复状态时，对栅极电极(81)与阳极电极(86)之间施加使栅极电极(81)的界面上产生空穴层的负偏置的电压信号。在正向恢复状态之后，从负偏置切换为施加零偏置或正偏置的电压信号。栅极控制型二极管(203)根据与其串联连接的IGBT的非导通期间，来对施加零偏置或正偏置的期间进行可变控制。
半导体电路控制方法应用功率转换器

[发明专利]显示装置-CN202110088807.5在审
发明人：王盛民;梁容豪;孔智惠;李廷洙 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：提供了一种显示装置，所述显示装置包括像素，每个像素包括连接在驱动晶体管的第一电极或第二电极与偏置线之间并且被构造为在偏置时段期间向驱动晶体管的第一电极或第二电极传输从偏置线施加的偏置电压的偏置晶体管。施加到发射不同颜色的光的像素的偏置电压彼此不同。
显示装置

[发明专利]显示面板和包括显示面板的显示设备-CN202310409225.1在审
发明人：安珍星;金成虎;禹珉宇;李旺宇;李廷洙;郑锡宇 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：所述显示面板包括：发光元件、驱动开关元件、偏置开关元件和偏置控制开关元件。驱动开关元件被构造为将驱动电流施加到发光元件。偏置开关元件连接到驱动开关元件的第一电极，并且被构造为将偏置电压施加到驱动开关元件的第一电极。偏置控制开关元件连接到偏置开关元件的第一电极，并且被构造为将偏置电压施加到偏置开关元件的第一电极。
显示面板包括设备

[发明专利]高低肖特基势垒无掺杂XNOR逻辑数字芯片及制造方法-CN202110800171.2在审
发明人：刘溪;赵春荣 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：高低肖特基势垒无掺杂XNOR逻辑数字芯片及使用和制造方法，对近源栅电极、近漏栅电极和漏电极同时正向偏置，低肖特基势垒源区、无掺杂半导体层和低肖特基势垒漏区形成通路，该数字芯片处于导通、低阻状态，对源电极输出逻辑1；对近源栅电极、近漏栅电极同时反向偏置，对漏电极正向偏置，高肖特基势垒源区、无掺杂半导体层和高肖特基势垒漏区形成通路，该数字芯片处于导通、低阻状态，对源电极输出逻辑1；对近源栅电极、近漏栅电极其中一个施加正向偏置，另一个施加反向偏置，对漏电极施加正向偏置，该数字芯片处于关断、高阻状态，对源电极输出逻辑0。
高低肖特基势垒无掺杂 xnor 逻辑数字芯片制造方法

[发明专利]一种电子听诊器声学探头-CN202110423489.3在审
发明人：吴国强;石磊;贾利成;刘崇斌 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： A61B7/04 文献下载
摘要：本发明涉及医疗器械技术，具体涉及一种电子听诊器声学探头，包括超声换能器和信号接收电路；超声换能器采用差分结构，包括内电极、外电极和底电极；信号接收电路包括信号输入端、地端、偏置电压端、信号放大模块和信号输出端；偏置电压位于信号放大模块正、负电源电压值之间；其连接方式包括：内电极连接信号输入端，外电极连接偏置电压端，底电极悬空或内电极连接偏置电压端，外电极连接信号输入端，底电极悬空或内电极连接信号输入端，外电极悬空，底电极连接偏置电压端或内电极悬空，外电极连接信号输入端，底电极连接偏置电压端。
一种电子听诊器声学探头

[发明专利]用于电容式微加工超声换能器的偏置控制-CN201710587396.8有效
发明人： D·赵;Y·黄;庄雪锋 -专利权人：珂纳医疗科技(苏州)有限公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：公开了一种用于电容式微加工超声换能器的偏置控制。在一些示例中，CMUT可包括多个电极，并且每个电极可包括多个子电极。例如，第一子电极和第二子电极可被设置在第三子电极的相对侧上。在一些情形中，第一偏置电压可被施加到第三子电极并且第二偏置电压可被施加到第一和第二子电极，同时使得第一子电极、第二子电极、或第三子电极中的至少一者发射和/或接收超声能量。例如，第二偏置电压可以以与第一偏置电压不同的电压量来进行施加，和/或可以以与第一偏置电压不同的时序来进行施加。
子电极偏置电压电极施加超声换能器偏置控制电容时序超声能量电压量加工发射

[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法-CN202111112609.4在审
发明人：舆水地盐 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：设置于腔室内的基板支承器的偏置电极交替连接于直流电源和接地。将偏置电极连接到接地之后偏置电极的电位达到接地电位为止的时间，设定为比直流电源连接到偏置电极之后偏置电极的电位达到负直流电压为止的时间长。
等离子体处理装置方法

[发明专利]电压可调多层电容器-CN201680071996.2有效
发明人： A.P.里特;C.W.尼斯;R.范阿尔斯泰恩 -专利权人：阿维科斯公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01G7/02 文献下载
摘要：电容器包括与第一有源端子电接触的第一有源电极以及与第二有源端子电接触的交替的第二有源电极。电容器还包括与第一DC偏置端子电接触的第一DC偏置电极以及与第二DC偏置端子电接触的交替的第二DC偏置电极。多个电介质层设置在交替的第一有源电极与第二有源电极之间以及交替的第一偏置电极与第二偏置电极之间。电介质层的至少一部分含有电介质材料，该电介质材料一经施加所施加电压，就呈现出可变的介电常数。
电压可调多层电容器

[发明专利]对等离子体处理的离子偏置电压的空间和时间控制-CN201880086817.1在审
发明人： D·肖;K·费尔贝恩;D·卡特 -专利权人：先进工程解决方案全球控股私人有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种示例性系统可以包括等离子体处理室，其包括在该处理室中产生等离子体的源以及布置在该等离子体处理室内的至少两个偏置电极，所述至少两个偏置电极用于控制接近所述偏置电极的等离子体鞘层。卡盘被设置为支撑衬底，并且源生成器耦合至等离子体电极。至少一个偏置电源耦合至所述至少两个偏置电极，并且控制器被包括为控制所述至少一个偏置电源，以控制接近偏置电极的等离子体鞘层。
等离子体处理离子偏置电压空间时间控制

[发明专利]光调制器及使用光调制器的光发送装置-CN201710111800.4有效
发明人：菅又徹 -专利权人：住友大阪水泥股份有限公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G02F1/225 文献下载
摘要：本发明提供一种光调制器及使用光调制器的光发送装置，其课题在于在具备多个偏置电极的光调制器中消除对偏置电极施加抖动信号时所产生的偏置控制动作的不稳定现象。本发明的光调制器具备：基板(102)，具有压电效应；光波导(138a、140a、138b、140b等)，形成于该基板上；及多个偏置电极(152a、152b等)，控制在该光波导中传播的光波，所述偏置电极构成为和/或配置抑制施加于一个所述偏置电极的电信号经由表面声波被其他的所述偏置电极接收的情况。
调制器使用发送装置

[实用新型]显示面板-CN202320859183.7有效
发明人：安珍星;金成虎;禹珉宇;李旺宇;李廷洙;郑锡宇 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：所述显示面板包括：发光元件、驱动开关元件、偏置开关元件和偏置控制开关元件。驱动开关元件被构造为将驱动电流施加到发光元件。偏置开关元件连接到驱动开关元件的第一电极，并且被构造为将偏置电压施加到驱动开关元件的第一电极。偏置控制开关元件连接到偏置开关元件的第一电极，并且被构造为将偏置电压施加到偏置开关元件的第一电极。
显示面板

[发明专利]一种无电荷注入效应高可靠性电容式射频微机电系统开关-CN201110003700.2有效
发明人：赵成;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-01-10 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01H36/00 文献下载
摘要：一种无电荷注入效应高可靠性电容式射频微机电系统开关，在低损耗衬底上制作有作为射频传输线的共面波导，其中心电极的中间部分覆盖有一层绝缘介质薄膜，其上横跨有开关膜桥，膜桥两端为制作在共面波导地电极上的可动偏置电极，其外侧有固定偏置电极，膜桥和可动偏置电极均采用软质电镀金制作。采用软质金膜桥，膜桥自然下垂而与共面波导中心电极上的绝缘介质薄膜接触，实现开关的关态，而通过在可动偏置电极和固定偏置电极间施加侧向偏置电压，使软质金可动偏置电极向外侧偏移，张紧膜桥，使膜桥中间下垂部分脱离绝缘介质薄膜并向上偏移一定高度而实现开关的开态，避免了为实现并维持开关的关态而施加的纵向偏置电压所产生的电荷注入效应，提高了开关的可靠性。
一种电荷注入效应可靠性电容射频微机系统开关

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