[发明专利]一种降低CMOS图像传感器白点缺陷的方法在审
| 申请号： | 201810051053.4 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108269816A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 吴罚;陈世杰;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 韩晓薇 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开涉及CMOS图像传感器及降低CMOS图像传感器白点缺陷的方法。其中一个实施例提供了一种CMOS图像传感器的制作方法，其包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅极氧化层和栅极硅层；以及随后在形成栅极之前，利用栅极硅层作为保护层，对半导体衬底进行多次离子注入，以在半导体衬底内部形成多个掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 白点缺陷 硅层 栅极氧化层 保护层 掺杂区 离子 制作 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅极氧化层和栅极硅层；以及随后在形成栅极之前，利用栅极硅层作为保护层，对半导体衬底进行多次离子注入，以在半导体衬底内部形成多个掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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