[发明专利]一种降低CMOS图像传感器白点缺陷的方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅极氧化层和栅极硅层；以及

随后在形成栅极之前，利用栅极硅层作为保护层，对半导体衬底进行多次离子注入，以在半导体衬底内部形成多个掺杂区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在形成栅极氧化层和栅极硅层之前，对半导体衬底进行第一次离子注入，以在半导体衬底内部形成第一掺杂区。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

在形成栅极氧化层和栅极硅层之后、形成栅极之前，对半导体衬底进行第二次离子注入，在所述半导体衬底内部形成第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区的上方且与所述第一掺杂区接触，并且所述第二掺杂区位于所述栅极的一侧。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

在形成第二掺杂区之后，对半导体衬底进行第三次和第四次离子注入，以在所述半导体衬底内部形成第三掺杂区和第四掺杂区，所述第三掺杂区位于所述第二掺杂区的一侧的上方且与所述第二掺杂区接触，所述第四掺杂区位于所述第二掺杂区的另一侧的上方且与所述第二掺杂区接触，并且所述第三掺杂区和所述第四掺杂区位于所述栅极的一侧。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

在形成第三掺杂区和第四掺杂区之后，对半导体衬底进行第五次离子注入，在所述半导体衬底内部形成第五掺杂区，所述第五掺杂区位于所述第一掺杂区的上方且与所述第一掺杂区不接触，并且位于所述栅极的另一侧。

6.根据权利要求2-5中任意一项所述的方法，其特征在于，

所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第五掺杂区的掺杂类型与所述第三掺杂区、所述第四掺杂区的掺杂类型相反。

7.根据权利要求2-5中任意一项所述的方法，其特征在于，

所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第五掺杂区为n型掺杂区，所述第三掺杂区、所述第四掺杂区为p型掺杂区。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在形成多个掺杂区之后，依次形成栅极和栅极侧墙。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述栅极硅层的厚度为

10.一种使用根据权利要求1-9中任意一项所述的方法制作的CMOS图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底中的感光二极管区、浮置扩散区、钉扎二极管区；以及

位于所述半导体衬底上的传输管，其中，

所述感光二极管区为所述第一掺杂区；

所述浮置扩散区为所述第五掺杂区；

所述钉扎二极管区包括所述第二掺杂区、所述第三掺杂区、所述第四掺杂区；并且

所述传输管包括所述栅极氧化层、所述栅极以及所述栅极侧墙。