[发明专利]存储器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种存储器及其制备方法，所述制备方法包括：在用于形成位线接触的位线接触区的半导体衬底中形成一掺杂区，在用于形成外围晶体管的外围电路有源区的半导体衬底上形成一外围闸极介电层，所述掺杂区和所述外围闸极介电层的形成工艺相互结合；在位线接触区的半导体衬底上形成一与所述掺杂区接触的位线接触，在所述外围闸极介电层上形成一外围闸极电极层，所述位线接触与所述外围闸极电极层形成在不同的区域中，两者并没有接触，同时在对应的存储器电路中也没有直接连接，并且，所述位线接触和所述外围闸极电极层通过同一工艺步骤形成。即，本发明中的存储器的制备方法，其制备工艺更为简单，有效节省了工艺流程，节省制备成本；同时，还可有效改善所形成的存储器的漏电流现象，提高存储器的性能。

主权项

1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上定义有一用于形成存储单元阵列的第一区域和一用于形成外围电路的第二区域，所述第二区域位于所述第一区域的外围，所述第一区域中具有一用于形成位线接触的位线接触区，所述第二区域中具有一用于形成外围晶体管的外围电路有源区；在所述位线接触区的半导体衬底中形成一第一导电类型的掺杂区，在所述外围电路有源区的半导体衬底上形成一外围晶体管的外围闸极介电层；其中，所述掺杂区和所述外围闸极介电层的形成方法包括：执行氧化工艺，在所述半导体衬底上形成一氧化层；在所述氧化层上形成一图形化的第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖所述第二区域并暴露出所述第一区域的位线接触区；以所述第一掩膜层为掩膜执行第一离子注入工艺，在所述位线接触区的半导体衬底中形成第一导电类型的所述掺杂区；以及，去除所述位线接触区上的氧化层，位于所述外围电路有源区上的氧化层构成所述外围晶体管的外围闸极介电层；在所述位线接触区的半导体衬底上形成一与所述掺杂区接触的位线接触，与所述掺杂区接触的位线接触中掺杂有第一导电类型的离子，在所述外围晶体管的外围闸极介电层上形成一外围闸极电极层，所述位线接触和所述外围闸极电极层通过同一工艺步骤形成，其中，所述位线接触和所述外围闸极电极层的形成方法包括：在所述半导体衬底上依次形成一第一导电材料层、一第二导电材料层和一绝缘材料层，所述第二导电材料层的电阻率小于所述第一导电材料层的电阻率；在所述绝缘材料层上形成一图形化的第二掩膜层，所述第二掩膜层同时定义出位线接触的图形和外围闸极电极层的图形；以及以所述第二掩膜层为掩膜依次刻蚀所述绝缘材料层、第二导电材料层和第一导电材料层，以同时在所述位线接触区的半导体衬底上形成所述位线接触，以及在所述外围电路有源区上形成所述外围闸极电极层。