[发明专利]用于蚀刻半导体结构的含碘化合物有效
| 申请号： | 201780081811.0 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN110178206B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 维贾伊·苏尔拉;拉胡尔·古普塔;孙卉;文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆;南森·斯塔福德;法布里齐奥·马切吉亚尼;文森特·M·欧马杰;詹姆斯·罗耶 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/308;H10B41/20;H10B43/20;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张蓉珺;林柏楠 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤：将含碘蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中，其中该含碘蚀刻化合物具有式CaHxFyIz，其中a＝1‑3，x＝0‑6，y＝1‑7，z＝1‑2，当a＝1时x+y+z＝4，当a＝2时x+y+z＝4或6，并且当a＝3时x+y+z＝6或8；将惰性气体引入该反应腔室中；以及活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含碘蚀刻化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 半导体 结构 碘化 | ||
【主权项】：
1.一种形成图案化结构的方法，该方法包括：将含碘蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中，其中该含碘蚀刻化合物选自由以下各项组成的组：CF2I2、C2F3I、C2H2FI、C2H3F2I、C2H4FI、C2F4I2、C3F5I、C3HF4I、C3H2F3I、C3HF6I、C3H2F5I、C3H3F4I、C3H4F3I、C3HF4I、C3H2F3I、C3H2F5I、C3H3F4I、以及C3H4F3I；将惰性气体引入该反应腔室中；以及活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含碘蚀刻化合物，以形成该图案化结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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