[发明专利]用于蚀刻半导体结构的含碘化合物

权利要求书

1.一种形成图案化结构的方法，该方法包括：

将含碘蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中，其中该含碘蚀刻化合物选自由以下各项组成的组：C₂H₂FI、C₂H₃F₂I、C₂H₄FI、C₃HF₄I、C₃H₂F₃I、C₃H₂F₅I、C₃H₃F₄I、以及C₃H₄F₃I；

将惰性气体引入该反应腔室中；以及

活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含碘蚀刻化合物，以形成该图案化结构。

2.如权利要求1所述的方法，该方法进一步包括从该反应腔室中移除挥发性副产物，其中该经活化的含碘蚀刻化合物与该含硅膜反应以形成这些挥发性副产物。

3.如权利要求2所述的方法，该方法进一步包括将氧化剂引入该反应腔室中。

4.如权利要求3所述的方法，其中，该氧化剂选自由以下各项组成的组：O₂、O₃、CO、CO₂、NO、N₂O、NO₂、及其组合。

5.如权利要求2所述的方法，该方法进一步包括将蚀刻气体引入该反应腔室中。

6.如权利要求5所述的方法，其中，该蚀刻气体选自由以下各项组成的组：cC₄F₈、cC₅F₈、C₄F₆、CF₄、CH₃F、CF₃H、CH₂F₂、COS、F-C≡N、CS₂、SO₂、反式-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯(反式-C₄H₂F₆)、顺式-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯(顺式-C₄H₂F₆)、六氟异丁烯(C₄H₂F₆)、反式-1,1,2,2,3,4-六氟环丁烷(反式-C₄H₂F₆)、1,1,2,2,3-五氟环丁烷(C₄H₃F₅)、1,1,2,2-四氟环丁烷(C₄H₄F₄)、以及顺式-1,1,2,2,3,4-六氟环丁烷(顺式-C₄H₂F₆)。

7.如权利要求1所述的方法，其中，该惰性气体选自由以下各项组成的组：He、Ar、Xe、Kr、Ne、N₂、或其组合。

8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，该含硅膜包含以下各项的层：氧化硅、氮化硅、结晶硅、低-k SiCOH、SiOCN、SiON、或其组合。

9.如权利要求8所述的方法，其中结晶硅是多晶硅。