[发明专利]GaAs衬底及其制造方法有效
| 申请号： | 201780080692.7 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN110114518B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 藤原新也;樋口恭明 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;王海川 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种具有第一表面的GaAs衬底。存在于所述第一表面中的长径0.16μm以上的粒子在每cm |
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| 搜索关键词： | gaas 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有第一表面的GaAs衬底，其中存在于所述第一表面中的长径0.16μm以上的粒子在每cm2所述第一表面中的数量和存在于第二表面中的长径0.16μm以上的损伤在每cm2所述第二表面中的数量的总和为小于或等于2.1，所述第二表面通过在深度方向上腐蚀所述第一表面0.5μm而形成。
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