[发明专利]GaAs衬底及其制造方法

说明书

本发明公开了一种具有第一表面的GaAs衬底。存在于所述第一表面中的长径0.16μm以上的粒子在每cm²所述第一表面中的数量和存在于第二表面中的长径0.16μm以上的损伤在每cm²第二表面中的数量的总和为小于或等于2.1，所述第二表面通过在深度方向上腐蚀所述第一表面0.5μm而形成。

技术领域

本发明涉及GaAs衬底及其制造方法。

背景技术

日本特开2008-300747号公报(专利文献1)公开了一种GaAs衬底，所述GaAs衬底利用普通的热清洁通过研磨晶片的表面，用碱清洁溶液清洁表面，并用酸清洁溶液清洁表面使得除去粘附到其表面上的异物和氧化物。最近，已经考虑例如通过用施加到碱清洁溶液的超声波对晶片表面进行清洁来改善碱清洁溶液的去污力(去除能力)。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本特开2008-300747号公报

发明内容

根据本发明一个方面的GaAs衬底是具有第一表面的GaAs衬底，其中存在于第一表面中的长径0.16μm以上的粒子在每cm²第一表面中的数量和存在于第二表面中的长径0.16μm以上的损伤在每cm²第二表面中的数量的总和为小于或等于2.1，所述第二表面通过在深度方向上腐蚀所述第一表面0.5μm而形成。

根据本发明一个方面的制造GaAs衬底的方法是具有用于从GaAs衬底前体得到GaAs衬底的清洁步骤的制造GaAs衬底的方法，所述清洁步骤包括以下步骤：通过在碱性溶液中对GaAs衬底前体施加超声波来清洁GaAs衬底前体的第一步骤；以及通过在酸性溶液中对GaAs衬底前体施加超声波来清洁GaAs衬底前体的第二步骤，所述第一步骤包括将超声波的频率至少从900kHz连续变化到2MHz的操作，所述第二步骤包括将超声波的频率至少从900kHz连续变化到2MHz的操作。

附图说明

图1是显示根据本实施方案的制造GaAs衬底的方法中的各个步骤的示意性流程图。

图2是显示关于根据实施例和比较例的GaAs衬底在清洁步骤中施加的声压的大小与粒子和损伤的数量之间的关系的图。

图3是显示关于根据实施例和比较例的GaAs衬底在清洁步骤中施加的声压的大小与外延膜表面中的LPD的数量之间的关系的图。

具体实施方式

[本发明要解决的问题]

已经发现，当通过施加超声波来清洁GaAs衬底时，随着超声波的声压增加，去污力增加，但是太高的声压导致外延生长在GaAs衬底上的膜(下文中也称为“外延膜”)的表面中的LPD(光点缺陷)水平劣化。LPD水平是在用光照射外延膜的表面以评价其光滑度(无论其是否具有水平差异)时使用的术语，并且LPD值越高(LPD水平越差)，意味着外延膜表面的水平差越大。该水平差起因于在GaAs衬底上生长外延膜时引起的堆垛层错。

LPD水平的劣化与器件性能的劣化相关。因此，需要GaAs衬底改善LPD水平。

鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种GaAs衬底及其制造方法，所述GaAs衬底使得形成具有改善的LPD水平的外延膜。

[本发明的有益效果]

根据以上描述，能够提供一种GaAs衬底及其制造方法，所述GaAs衬底使得形成具有改善的LPD水平的外延膜。

[实施方案的描述]