[发明专利]GaAs衬底及其制造方法

权利要求书

1.一种具有第一表面的GaAs衬底，其中

存在于所述第一表面中的长径0.16μm以上的粒子在每cm²所述第一表面中的数量和存在于第二表面中的长径0.16μm以上的损伤在每cm²所述第二表面中的数量的总和为小于或等于2.1，所述第二表面通过在深度方向上腐蚀所述第一表面0.5μm而形成。

2.根据权利要求1所述的GaAs衬底，其中

所述GaAs衬底在所述第一表面具有Al_xGa_1-xAs膜，

所述Al_xGa_1-xAs膜具有0.5μm～6μm的厚度，并且

存在于所述Al_xGa_1-xAs膜的表面中的长径18μm以上的LPD在每cm²所述Al_xGa_1-xAs膜的表面中的数量为小于或等于51.2，

其中x为0.5±0.1。

3.根据权利要求1或2所述的GaAs衬底，其中所述GaAs衬底具有直径大于或等于2英寸且小于或等于8英寸的圆盘形状。

4.一种制造根据权利要求1所述的GaAs衬底的方法，所述方法具有用于从GaAs衬底前体得到所述GaAs衬底的清洁步骤，所述清洁步骤包括以下步骤：

通过在碱性溶液中对所述GaAs衬底前体施加超声波来清洁所述GaAs衬底前体的第一步骤；以及

通过在酸性溶液中对所述GaAs衬底前体施加超声波来清洁所述GaAs衬底前体的第二步骤，

所述第一步骤包括将超声波的频率至少从900kHz连续变化到2MHz的操作，

所述第二步骤包括将超声波的频率至少从900kHz连续变化到2MHz的操作，

其中所述超声波具有60mV～80mV的声压，

所述碱性溶液为含有有机碱性化合物的水溶液，所述碱性溶液的浓度为0.1质量％～10质量％，

所述酸性溶液为含有选自氢氟酸、盐酸、硝酸和亚硝酸中的至少一种的水溶液，或含有有机酸的水溶液，所述酸性溶液的浓度为0.3ppm～0.5质量％。