[发明专利]底侧具有支撑结构的半导体模块

摘要

一种具有底侧的支撑结构的半导体模块。半导体模块(1)具有由电绝缘材料组成的衬底(2)。在衬底(2)的上侧(3)施加有结构化金属层(4)，通过该结构化金属层来接触至少一个电构件(5)。结构化金属层(4)只被施加在衬底(2)上的中央区域(6)中，使得在衬底(2)的上侧(3)留有包围中央区域(6)的边缘区域(7)，在该边缘区域中没有结构化金属层(4)被施加在衬底(2)上。在衬底(2)的底侧(8)上的中央区域(6)内施加有用于接触冷却体(10)的接触层(9)，其与结构化金属层(4)相对置。在衬底(2)的底侧(8)上的边缘区域(7)内施加有结构化支撑结构(11)，其厚度(d2)对应于接触层(9)的厚度(d1)。

主权项

1.一种半导体模块，‑其中，所述半导体模块具有衬底(2)，所述衬底由电绝缘材料构成，‑其中，在所述衬底(2)的上侧(3)施加有结构化金属层(4)，至少一个电构件(5)经由所述结构化金属层被接触，‑其中，所述结构化金属层(4)只在所述衬底(2)的中央区域(6)中被施加在所述衬底(2)上，使得在所述衬底(2)的所述上侧(3)上留有包围中央区域(6)的边缘区域(7)，在所述边缘区域中所述结构化金属层(4)没有被施加在所述衬底(2)上，‑其中，在中央区域(6)中，接触层(9)被施加到所述衬底(2)的底侧(8)上，所述接触层用于接触冷却体(10)，所述接触层与所述结构化金属层(4)相对置，其特征在于，在所述衬底(2)的所述底侧(8)上，在边缘区域(7)中施加有结构化的支撑结构(11)，所述支撑结构的厚度(d2)对应于所述接触层(9)的厚度(d1)。