[发明专利]成像元件、金属薄膜滤波器和电子设备在审
申请号: | 201780075138.X | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN110036482A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 杉崎太郎 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 乔焱;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 根据一些方面,提出一种成像器件,其包括:偏振器,被构造为使光沿着偏振方向线性偏振;滤波器层,被构造为接收来自偏振器的偏振光且根据偏振光的波长选择性地过滤光;和光电转换层,被构造为接收滤波器层过滤后的光且响应于接收到的光产生电荷,其中,滤波器层包括形成在滤波器层中的多个通孔,并且多个通孔的通孔的横断面形状在偏振方向上延伸的量大于在与偏振方向垂直的方向上延伸的量。 | ||
搜索关键词: | 滤波器 偏振 通孔 偏振光 偏振器 过滤 偏振方向垂直 光电转换层 横断面形状 接收滤波器 波长选择 成像器件 成像元件 电子设备 方向线性 金属薄膜 电荷 光产生 延伸 响应 | ||
【主权项】:
1.一种成像器件,其包括:偏振器,所述偏振器被构造为使光沿着偏振方向线性偏振;滤波器层,所述滤波器层被构造为接收来自所述偏振器的偏振光且根据所述偏振光的波长选择性地过滤光;和光电转换层,所述光电转换层被构造为接收被所述滤波器层过滤的光且响应于接收到的所述光而产生电荷,其中,所述滤波器层包括形成在所述滤波器层中的多个通孔,并且所述多个通孔中的所述通孔的横断面形状在所述偏振方向上延伸的量大于在与所述偏振方向垂直的方向上延伸的量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的