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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光检测器件和电子设备-CN202011072831.1在审
发明人： 杉崎太郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明涉及光检测器件和电子设备。其中，光检测器件可包括：多个像素，所述多个像素包括：第一像素，所述第一像素包括第一滤色器，所述第一滤色器被配置为透射第一波长范围的光；以及第二像素，所述第二像素包括第二滤色器，所述第二滤色器被配置为透射第二波长范围的光，在平面图中，第一遮光膜围绕所述第二滤色器，其中，所述第一波长范围与所述第二波长范围不同，其中，在所述平面图中，所述第一滤色器的面积大于所述所述第二滤色器的面积。
检测器件电子设备

[发明专利]固态摄像装置和电子设备-CN201580052456.5有效
发明人： 杉崎太郎;广田功 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明的技术涉及能够同时获取常规图像和窄带图像等的固态摄像装置和电子设备。所述固态摄像装置设置有以至少两层层叠的多个基板。在所述多个基板之中，至少两个基板是具有进行光电转换的像素的基板。具有所述像素的所述基板之中的至少一个基板是接收可见光的可见光传感器。具有所述像素的所述基板之中的至少另一个基板是窄带光传感器，所述窄带光传感器具有作为使窄带波长范围的光透过的光学滤波器的窄带滤波器并且接收作为窄带的光的窄带光。
固态摄像装置电子设备

[发明专利]固态成像器件、成像装置以及电子设备-CN201580045391.1有效
发明人： 杉崎太郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明涉及能够抑制混色而不降低灵敏度的固态成像元件、成像装置和电子器件。在与白色像素(W像素)相邻的像素(即，除W像素之外的像素(红色像素(R像素)、绿色像素(G像素)和蓝色像素(B像素))中，在与W像素相邻的位置处形成比W像素的遮光膜更厚的遮光膜。另外，对于除了W像素之外的像素(即，RGB像素)，所述遮光膜的厚度随着波长的减小而增大。本发明能够应用于固态成像元件。
固态成像器件装置以及电子设备

[发明专利]摄像元件和电子设备-CN201780075891.9在审
发明人： 杉崎太郎 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够抑制光接收部的灵敏度差异的摄像元件和电子设备。所述摄像元件包括像素阵列，在所述像素阵列中至少布置有：第一光接收部，其被构造成接收预定颜色的光；和第二光接收部，其被构造成接收具有在带域宽度上比所述预定颜色的波长带域的带域宽度窄的波长带域的光。而且，在所述像素阵列被垂直线和水平线分成四个区域的情况下，在布置有至少一个所述第一光接收部和至少一个所述第二光接收部的第一块中的所述第二光接收部的位置在各个所述区域中是不同的。本技术能够适用于例如CMOS图像传感器。
光接收部摄像元件像素阵列波长带域电子设备预定颜色带域灵敏度差异垂直线

[发明专利]成像元件、金属薄膜滤波器和电子设备-CN201780075138.X在审
发明人： 杉崎太郎 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据一些方面，提出一种成像器件，其包括：偏振器，被构造为使光沿着偏振方向线性偏振；滤波器层，被构造为接收来自偏振器的偏振光且根据偏振光的波长选择性地过滤光；和光电转换层，被构造为接收滤波器层过滤后的光且响应于接收到的光产生电荷，其中，滤波器层包括形成在滤波器层中的多个通孔，并且多个通孔的通孔的横断面形状在偏振方向上延伸的量大于在与偏振方向垂直的方向上延伸的量。
滤波器偏振通孔偏振光偏振器过滤偏振方向垂直光电转换层横断面形状接收滤波器波长选择成像器件成像元件电子设备方向线性金属薄膜电荷光产生延伸响应

[发明专利]摄像元件、其制造方法、金属薄膜滤光片和电子设备-CN201780073250.X在审
发明人： 杉崎太郎 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据一些方面，本发明提供一种摄像元件，该摄像元件包括光电转换层，所述光电转换层被构造成接收光并响应于所接收的光产生电荷，还包括：第一滤光片区，其与摄像元件的第一像素对应，第一滤光片区具有第一厚度和在其中形成的多个贯通孔，其中，第一滤光片区以第一峰值透射波长透射入射到第一滤光片区上的光；以及第二滤光片区，其与摄像元件的第二像素对应，第二滤光片区具有大于第一厚度的第二厚度和在其中形成的多个贯通孔，其中，第二滤光片区以第二峰值透射波长透射入射到第二滤光片区上的光，第二峰值透射波长大于第一峰值透射波长。
滤光片摄像元件透射波长光电转换层贯通孔透射入射像素电子设备金属薄膜电荷光产生接收光响应制造

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN200480044445.4无效
发明人： 杉崎太郎 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2004-11-30 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种半导体存储器件，具有：电荷聚集层26，其形成在半导体基板10上，而且在绝缘膜12、24中具有作为电荷聚集体的多个微粒16而形成；栅电极30，其形成在电荷聚集层26上，其中，微粒16由金属氧化物或者金属氮化物构成。
半导体存储器件及其制造方法

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