[发明专利]成像元件、金属薄膜滤波器和电子设备在审
申请号: | 201780075138.X | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN110036482A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 杉崎太郎 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 乔焱;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 滤波器 偏振 通孔 偏振光 偏振器 过滤 偏振方向垂直 光电转换层 横断面形状 接收滤波器 波长选择 成像器件 成像元件 电子设备 方向线性 金属薄膜 电荷 光产生 延伸 响应 | ||
1.一种成像器件,其包括:
偏振器,所述偏振器被构造为使光沿着偏振方向线性偏振;
滤波器层,所述滤波器层被构造为接收来自所述偏振器的偏振光且根据所述偏振光的波长选择性地过滤光;和
光电转换层,所述光电转换层被构造为接收被所述滤波器层过滤的光且响应于接收到的所述光而产生电荷,
其中,所述滤波器层包括形成在所述滤波器层中的多个通孔,并且所述多个通孔中的所述通孔的横断面形状在所述偏振方向上延伸的量大于在与所述偏振方向垂直的方向上延伸的量。
2.如权利要求1所述的成像器件,其中,所述多个通孔中的所述通孔具有椭圆的横断面形状,其中,所述椭圆的长轴在所述偏振方向上对齐。
3.如权利要求1所述的成像器件,其中,所述滤波器层还包括形成在所述滤波器层中的多个非通孔。
4.如权利要求3所述的成像器件,其中,所述多个通孔以第一阵列布置,且其中,所述多个非通孔以与所述第一阵列重叠的第二阵列布置。
5.如权利要求4所述的成像器件,其中,所述第二阵列是六边形阵列。
6.如权利要求3所述的成像器件,其中,所述滤波器层包括第一子层和第二子层,其中,所述第一子层具有形成在所述第一子层中的多个通孔,所述第二子层与所述第一子层相邻并具有形成在所述第二子层中的多个通孔,并且所述第一子层的至少一些所述通孔不与所述第二子层的所述通孔对齐,从而形成一个或多个所述非通孔。
7.如权利要求1所述的成像器件,还包括第一介电膜和第二介电膜,其中,所述第一介电膜设置在所述滤波器层的在所述滤波器层和所述光电转换层之间的第一侧,并且所述第二介电膜设置在所述滤波器层的与所述第一侧相反的第二侧。
8.如权利要求1所述的成像器件,其中,所述滤波器层包括铝、银和/或金。
9.如权利要求1所述的成像器件,其中,所述偏振器包括结晶材料。
10.如权利要求1所述的成像器件,
其中,所述滤波器层的所述多个通孔是形成在所述滤波器层的第一区域内的第一多个通孔,且其中,由所述滤波器层的所述第一区域从所述偏振器接收的偏振光沿着第一偏振方向偏振,
其中,所述滤波器层还包括形成在所述滤波器层的第二区域内的第二多个通孔,
其中,由所述滤波器层的所述第二区域从所述偏振器接收的偏振光沿着与所述第一方向不同的第二偏振方向偏振,且
其中,所述第二多个通孔中的所述孔的横断面形状在所述偏振方向上延伸的量大于在与所述第二偏振方向不同的方向上延伸的量。
11.如权利要求10所述的成像器件,其中,所述第一偏振方向不同于所述第二偏振方向。
12.一种成像器件,其包括:
偏振器,所述偏振器被构造为使光沿着偏振方向线性偏振;
滤波器层,所述滤波器层被构造为接收来自所述偏振器的偏振光且根据所述偏振光的波长选择性地过滤光;和
光电转换层,所述光电转换层被构造为接收被所述滤波器层过滤的光且响应于接收到的所述光而产生电荷,
其中,所述滤波器层包括形成在所述滤波器层中的点阵列,并且所述点阵列的点的横断面形状在所述偏振方向上延伸的量大于在与所述偏振方向垂直的方向上延伸的量。
13.如权利要求12所述的成像器件,其中,所述多个点的所述点具有椭圆的横断面形状,其中,所述椭圆的长轴在所述偏振方向上对齐。
14.如权利要求12所述的成像器件,其中,所述点阵列的所述点以六边形阵列或正方形阵列布置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的