[发明专利]成像元件、金属薄膜滤波器和电子设备在审

专利信息
申请号: 201780075138.X 申请日: 2017-12-12
公开(公告)号: CN110036482A 公开(公告)日: 2019-07-19
发明(设计)人: 杉崎太郎 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 乔焱;曹正建
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 滤波器 偏振 通孔 偏振光 偏振器 过滤 偏振方向垂直 光电转换层 横断面形状 接收滤波器 波长选择 成像器件 成像元件 电子设备 方向线性 金属薄膜 电荷 光产生 延伸 响应
【说明书】:

根据一些方面,提出一种成像器件,其包括:偏振器,被构造为使光沿着偏振方向线性偏振;滤波器层,被构造为接收来自偏振器的偏振光且根据偏振光的波长选择性地过滤光;和光电转换层,被构造为接收滤波器层过滤后的光且响应于接收到的光产生电荷,其中,滤波器层包括形成在滤波器层中的多个通孔,并且多个通孔的通孔的横断面形状在偏振方向上延伸的量大于在与偏振方向垂直的方向上延伸的量。

技术领域

本技术涉及成像元件、金属薄膜滤波器和电子设备,并且例如涉及能够选择性地取出仅特定波长的电磁波分量的成像元件、金属薄膜滤波器和电子设备。

<相关申请的交叉参考>

本申请主张享有于2016年12月13日提交的日本优先权专利申请JP2016-241254的权益,并将该日本优先权专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。

背景技术

近来,诸如数字静态照相机或便携式摄像机等由成像元件对被摄体进行拍摄和成像的电子设备日益增加。目前,主流成像元件的示例包括电荷耦合器件(CCD:chargecoupled device)图像传感器或互补金属氧化物半导体(CMOS:complementary metaloxide semiconductor)图像传感器等。另外,在下文中,将这些成像元件统称为图像传感器。图像传感器具有从可见光波长到近红外线波长的宽敏感度。

然而,图像传感器例如不可能像人眼区分红光和蓝光一样区分颜色信息项。因此,在现有技术的图像传感器中,在各像素的前表面中内置仅使红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)或补色(青色(Cy)、品红色(Mg)、黄色(Ye)和绿色(G))等的特定波长的电磁波透过的滤色器。通过使用现有技术的图像传感器,根据透射光敏感度获取各颜色的敏感度信息,并针对各颜色的敏感度信息进行信号处理等,从而进行彩色成像。

现有技术的这种图像传感器中采用的滤色器通常使用诸如颜料或着色剂等有机材料。然而,作为滤色器的构成元素的含有碳或氢的分子的键能与紫外线能量的键能相同。因此,在长时间使用高能量的光照射滤色器的情况下,存在碳键或碳与氢之间的键断裂的情况。因此,在滤色器用于室外并长时间暴露于含有紫外线的太阳光下或滤色器用在紫外线特别强的环境下的情况下,滤色器的透射特性会发生改变。因此,存在成像图像的颜色再现特性劣化的可能性。

因此,人们在实践上还逐渐采用使用无机物质或光子晶体的滤色器(例如,参考专利文献1和专利文献2)。此外,还出现被称为金属光学滤波器的线栅或滤色器(例如,参考非专利文献1至非专利文献3)。

引用列表

专利文献

专利文献1:PCT国际公布第2006/028128号的再公布

专利文献2:PCT国际公布第2005/013369号的再公布

非专利文献

非专利文献1:Quasioptical Systems(准光学系统),Paul F.Goldsmith,IEEEPress,ISBN 0-7803-3439-6

非专利文献2:J.Opt.Soc.Am.A,P.B.Catrysse&B.A.Wandell,Vol.20,No.12,December 2003,p.2293-2306

非专利文献3:Nanotechnology(纳米技术),Seh-Won Ahn et al.,Vol.16,1874-1877,2005(LG)

发明内容

本技术要解决的技术问题

在图像传感器中,需要以低成本物理且化学稳定地实现选择性地取出仅物理和化学稳定的特定波长的电磁波分量的技术。然而,在包括专利文献1、专利文献2和非专利文献2至非专利文献3在内的现有技术的滤色器中,不能充分满足这种需求。

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