[发明专利]经由热丝化学气相沉积的沉积用于传感器应用的聚合物层的方法在审
申请号: | 201780072860.8 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN110023536A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 柯林·尼柯克;尤里·梅尔尼克;普拉文·K·纳瓦卡 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/452 | 分类号: | C23C16/452;C23C16/448;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本公开内容涉及沉积聚合物层的方法,包括:提供基板至热丝化学气相沉积(HWCVD)腔室中的基板支撑件,基板具有传感器结构设置于基板上;提供包括起始剂气体与单体气体与载气的处理气体至HWCVD腔室;加热设置于HWCVD腔室中的多个细丝至足以激活起始剂气体而未分解单体气体的第一温度;及使基板暴露于来自激活起始剂气体的起始剂自由基且暴露于单体气体以沉积聚合物层在传感器结构顶上。 | ||
搜索关键词: | 起始剂 单体气体 基板 腔室 热丝化学气相沉积 沉积聚合物 传感器结构 激活 传感器应用 基板支撑件 处理气体 基板暴露 聚合物层 自由基 沉积 细丝 载气 加热 分解 暴露 | ||
【主权项】:
1.一种沉积聚合物层的方法,包括以下步骤:在热丝化学气相沉积(HWCVD)腔室中加热基板、传感器结构和处理气体,所述传感器结构设置于所述基板上,所述处理气体包括起始剂气体、单体气体和载气,其中所述加热的步骤至足以形成起始剂自由基而未分解所述单体气体的温度;及使所述传感器结构、所述起始剂自由基和所述单体气体接触以形成聚合物层在所述传感器结构的顶上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的