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[发明专利]使用含铬薄膜保护金属部件以抗腐蚀的方法-CN202310717002.1在审
发明人： 尤里·梅尔尼克;苏克蒂·查特吉;考沙尔·冈加什卡尔;乔纳森·弗兰克尔;兰斯·A·斯卡德尔;普拉文·K·纳万克尔;大卫·布里兹;托马斯·奈斯利;马克·沙丽;戴维·汤普森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式一般地涉及航空航天部件上的保护涂层和用于沉积保护涂层的方法。在一或多个实施方式中，一种在航空航天部件上沉积保护涂层的方法包括：顺序地将航空航天部件暴露于铬前驱物和反应物以通过原子层沉积工艺在航空航天部件的表面上形成含铬层。含铬层包含金属铬、氧化铬、氮化铬、碳化铬、硅化铬或上述各项的任何组合。
使用薄膜保护金属部件腐蚀方法

[发明专利]使用含铬薄膜保护金属部件以抗腐蚀的方法-CN201980020567.6有效
发明人： 尤里·梅尔尼克;苏克蒂·查特吉;考沙尔·冈加什卡尔;乔纳森·弗兰克尔;兰斯·A·斯卡德尔;普拉文·K·纳万克尔;大卫·布里兹;托马斯·奈斯利;马克·沙丽;戴维·汤普森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式一般地涉及航空航天部件上的保护涂层和用于沉积保护涂层的方法。在一或多个实施方式中，一种在航空航天部件上沉积保护涂层的方法包括：顺序地将航空航天部件暴露于铬前驱物和反应物以通过原子层沉积工艺在航空航天部件的表面上形成含铬层。含铬层包含金属铬、氧化铬、氮化铬、碳化铬、硅化铬或上述各项的任何组合。
使用薄膜保护金属部件腐蚀方法

[发明专利]用于增加高指数纳米压印平板印刷术膜密度的方法-CN202180029852.1在审
发明人：安德鲁·塞巴洛斯;拉米·胡拉尼;大野健一;尤里·梅尔尼克;阿弥陀·乔希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本公开内容的多个实施方式一般涉及致密纳米压印膜和用于制作这些致密纳米压印膜的工艺，和含有致密纳米压印膜的光学装置。在一个或多个实施方式中，致密纳米压印膜含有基底纳米压印膜和设置在基底纳米压印膜上和纳米颗粒之间的金属氧化物。基底纳米压印膜含有纳米颗粒，其中纳米颗粒含有氧化钛、氧化锆、氧化铌、氧化钽、氧化铪、氧化铬、铟锡氧化物、氮化硅或它们的任何组合。金属氧化物含有氧化铝、氧化钛、氧化锆、氧化铌、氧化钽、氧化铟、铟锡氧化物、氧化铪、氧化铬、氧化钪、氧化锡、氧化锌、氧化钇、氧化镨、氧化镁、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅或它们的任何组合。
用于增加指数纳米压印平板印刷术密度方法

[发明专利]用于增加高指数纳米压印平板印刷术膜的折射率的方法-CN202180029867.8在审
发明人：安德鲁·塞巴洛斯;拉米·胡拉尼;大野健一;尤里·梅尔尼克;阿弥陀·乔希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本公开内容的多个实施方式一般涉及光学致密的纳米压印膜和用于制作这些光学致密的纳米压印膜的工艺，以及含有光学致密的纳米压印膜的光学装置。在一个或多个实施方式中，一种形成纳米压印膜的方法包括将含有多孔纳米压印膜的基板定位在处理腔室内，其中多孔纳米压印膜含有纳米颗粒和在纳米颗粒之间的孔洞，且多孔纳米压印膜具有小于2的折射率。该方法亦包括在原子层沉积(ALD)工艺期间将金属氧化物沉积在多孔纳米压印膜上和孔洞的至少一部分内以产生光学致密的纳米压印膜。
用于增加指数纳米压印平板印刷术折射率方法

[发明专利]形成含有结晶化氧化铝的保护涂层的方法-CN202080061931.6在审
发明人：大野贤一;埃里克·H·刘;苏克蒂·查特吉;尤里·梅尔尼克;托马斯·奈斯利;大卫·亚历山大·布里兹;兰斯·A·斯卡德尔;普拉文·K·纳万克尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式大体上关于基板上的保护涂层及沉积保护涂层的方法。在一或多个实施方式中，在基板上形成保护涂层的方法包括：在第一气相沉积处理期间在基板的表面上沉积含有非晶氧化铬的氧化铬层；及在第一退火处理期间加热含有包含非晶氧化铬的氧化铬层的基板，以将非晶氧化铬的至少一部分转换成结晶氧化铬。所述方法还包括：在第二气相沉积处理期间在氧化铬层上沉积含有非晶氧化铝的氧化铝层；及在第二退火处理期间加热含有设置在氧化铬层上的氧化铝层的基板，以将非晶氧化铝的至少一部分转换成结晶氧化铝。
形成含有结晶氧化铝保护涂层方法

[发明专利]用于在航空部件上沉积牺牲涂层的方法-CN202080042908.2在审
发明人：苏克蒂·查特吉;大野贤一;兰斯·A·斯卡德尔;尤里·梅尔尼克;大卫·A·布里兹;普拉文·K·纳万克尔;托马斯·奈斯利;马克·沙丽;杰弗里·安西斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C23C10/60 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式大体涉及在航空部件上的保护涂层和用于沉积所述保护涂层的方法。在一个或多个实施方式中，一种用于在航空部件上产生保护涂层的方法包括：在含有镍和铝(例如，镍‑铝超合金)的所述航空部件上沉积金属氧化物模板层；和在热工艺和/或氧化工艺期间加热含有所述金属氧化物模板层的所述航空部件。所述热工艺和/或氧化工艺包括：将所述航空部件内含有的铝向含有所述金属氧化物模板层的所述航空部件的表面扩散；氧化所扩散的铝以产生设置在所述航空部件与所述金属氧化物模板层之间的氧化铝层；和去除所述金属氧化物模板层的至少一部分，同时留下所述氧化铝层。
用于航空部件沉积牺牲涂层方法

[发明专利]形成CNT-BNNT纳米复合护膜的方法-CN202080015893.0在审
发明人：苏克蒂·查特吉;尤里·梅尔尼克;普拉文·K·纳万克尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G03F1/64 文献下载
摘要：本公开内容的多个实施方式一般涉及用于远紫外光刻系统的纳米复合护膜。护膜包括排列成平面片的多个碳纳米管，多个碳纳米管由多个金属催化剂点滴形成。以氮化硼的第一共形层涂布多个碳纳米管。此护膜可包括随着氮化硼的第一共形层同时形成的多个氮化硼纳米管。此护膜可包括设置在氮化硼的第一共形层上的碳纳米管涂层和设置在碳纳米管涂层上氮化硼的第二共形层或氮化硼纳米管。此护膜是UV透明且在氢自由基环境中是非反应性的。
形成 cnt bnnt 纳米复合方法

[发明专利]在航空航天部件上沉积涂层的方法-CN201980020460.1在审
发明人： 尤里·梅尔尼克;苏克蒂·查特吉;考沙尔·冈加什卡尔;乔纳森·弗兰克尔;兰斯·A·斯卡德尔;普拉文·K·纳万克尔;大卫·布里兹;托马斯·奈斯利;马克·沙丽;戴维·汤普森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式一般地涉及航空航天部件上的保护涂层和沉积保护涂层的方法。在一或多个实施方式中，一种在航空航天部件上沉积涂层的方法，包含：将航空航天部件暴露于第一前驱物和第一反应物以通过化学气相沉积(CVD)工艺或第一原子层沉积(ALD)工艺在航空航天部件的表面上形成第一沉积层；并且将航空航天部件暴露于第二前驱物和第二反应物以通过第二ALD工艺在第一沉积层上形成第二沉积层，其中第一沉积层和第二沉积层具有彼此不同的成分。
航空航天部件沉积涂层方法

[发明专利]用于在部件的内表面上施加涂层的反应器-CN201980019149.5在审
发明人： 尤里·梅尔尼克;苏克蒂·查特吉;考沙尔·冈加什卡尔;乔纳森·弗兰克尔;兰斯·A·斯卡德尔;普拉文·K·纳万克尔;大卫·亚历山大·布里兹;戴维·马萨尤基·石川 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种用于在多个部件的内部上施加涂层的气体分配组件包括支撑件，在所述支撑件内形成有多个部件空腔。每个部件空腔对应于相应部件以与所述相应部件的内部流体耦接。第一气源流动管线与所述部件空腔中的每个部件空腔流体耦接以将来自第一气源的第一气体提供到所述部件空腔中的每个部件空腔，并且第二气源流动管线与所述部件空腔中的每个部件空腔流体耦接以将来自第二气源的第二气体提供到所述部件空腔中的每个部件空腔。
用于部件表面上施加涂层反应器

[发明专利]为了较佳生物传感器性能的用于原生氧化物移除和介电氧化物再生长的方法、材料和工艺-CN201880062108.X在审
发明人：兰加·拉奥·阿内帕利;科林·科斯塔诺·内科克;尤里·梅尔尼克;苏雷什·钱德·赛斯;普拉文·K·纳万克尔;苏克蒂·查特吉;兰斯·A·斯卡德尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：公开了在用于生物学应用的MEMS器件上移除原生氧化物层和沉积具有受控数量的活性位点的介电层的方法。在一个方面中，一种方法包括通过以下步骤从基板的表面移除原生氧化物层：将基板暴露于呈气相的一种或多种配体以使原生氧化物层具有挥发性，及随后热解吸或以其他方式蚀刻具有挥发性的原生氧化物层。在另一方面中，一种方法包括在基板的表面上沉积介电层，所述介电层被选择为提供受控数量的活性位点。在又一方面中，一种方法包括从基板的表面移除原生氧化物层和在基板的表面上沉积介电层两者，其中通过将基板暴露于一种或多种配体来移除原生氧化物层，所述介电层被选择为提供受控数量的活性位点。
为了生物传感器性能用于原生氧化物再生方法材料工艺

[发明专利]经由热丝化学气相沉积的沉积用于传感器应用的聚合物层的方法-CN201780072860.8在审
发明人：柯林·尼柯克;尤里·梅尔尼克;普拉文·K·纳瓦卡 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C23C16/452 文献下载
摘要：本公开内容涉及沉积聚合物层的方法，包括：提供基板至热丝化学气相沉积(HWCVD)腔室中的基板支撑件，基板具有传感器结构设置于基板上；提供包括起始剂气体与单体气体与载气的处理气体至HWCVD腔室；加热设置于HWCVD腔室中的多个细丝至足以激活起始剂气体而未分解单体气体的第一温度；及使基板暴露于来自激活起始剂气体的起始剂自由基且暴露于单体气体以沉积聚合物层在传感器结构顶上。
起始剂单体气体基板腔室热丝化学气相沉积沉积聚合物传感器结构激活传感器应用基板支撑件处理气体基板暴露聚合物层自由基沉积细丝载气加热分解暴露

[发明专利]用于预处理III族氮化物沉积的方法-CN201280024289.X有效
发明人： 尤里·梅尔尼克;陈璐;湖尻英彦 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式涉及用于预处理基板和III族氮化物层以制造诸如发光二极管（LED）、激光二极管（LD）或功率电子器件之类的器件的方法。本公开内容的一个实施方式提供一种方法，包括以下步骤：提供一个或更多个具有含铝表面的基板至处理腔室中，及使一个或更多个具有含铝表面的基板中的每一个基板的表面暴露至预处理气体混合而形成预处理表面。预处理气体混合物包括氨（NH₃）、卤化铝气体（例如AlCl₃、AlCl）和含蚀刻剂气体，含蚀刻剂气体包括卤素气体（例如Cl₂）或卤化氢气体（例如HCl）。
用于预处理 iii 氮化物沉积方法

[发明专利]改善的III族氮化物半导体生长的方法-CN201280024597.2有效
发明人： 尤里·梅尔尼克;陈璐;湖尻英彦 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明公开以先进缓冲层技术生长III族氮化物半导体化合物的方法。在实施例中，本发明的方法包括于氢化物气相外延处理系统的处理腔室中提供合适的衬底。所述方法包括通过下列步骤形成AlN缓冲层：将氨气流入处理腔室的生长区内，将含卤化铝前驱物流至所述生长区，并同时将额外的卤化氢或卤素气体流入处理腔室的生长区内。流入生长区内的额外卤化氢或卤素气体在缓冲层沉积期间抑制均质AlN颗粒形成。在终止含卤化铝前驱物的流动的同时，可持续使卤化氢或卤素气体流入达一时间段。
改善 iii 氮化物半导体生长方法

[发明专利]多个互补气体分配组件-CN201280054303.0有效
发明人：吴卓斌;尤里·梅尔尼克;莉莉·庞;伊达·滕塞;陈璐;松·T·阮 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明描述根据一个实施例的具有多个气体分配组件的示例性设备。在一个实施例中，该设备包括两个或更多个气体分配组件。每一气体分配组件具有孔，通过所述孔将至少一种工艺气体引入至处理腔室。两个或更多个气体分配组件可被设计为具有互补的特征径向膜生长速率分布。
互补气体分配组件

[发明专利]改善的III族氮化物缓冲层生长的方法-CN201280024572.2有效
发明人： 尤里·梅尔尼克;陈璐;湖尻英彦 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开以先进多重缓冲层技术生长高结晶质量III族氮化物外延层的方法。在实施例中，本发明的方法包括在氢化物气相外延处理系统的处理腔室中的合适衬底上形成含铝III族氮化物缓冲层。在缓冲层沉积期间，将卤化氢或卤素气体流入生长区内，以抑制均质颗粒形成。含铝低温缓冲物(如，AlN、AlGaN)及含铝高温缓冲物(如，AlN、AlGaN)的某些组合可用来改善后续生长的III族氮化物外延层的结晶质量及型态。可将缓冲物沉积于衬底上，或可将缓冲物沉积于另一个缓冲物的表面上。额外的缓冲层可被加入作为III族氮化物层(如，GaN、AlGaN、AlN)中的夹层。
改善 iii 氮化物缓冲生长方法

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