[发明专利]金属掩膜板缺陷的判断方法和制造设备在审

申请号：	201780053925.4	申请日：	2017-07-31
公开（公告）号：	CN109643055A	公开（公告）日：	2019-04-16
发明（设计）人：	张耀宇;王彤;康慧	申请（专利权）人：	深圳市柔宇科技有限公司
主分类号：	G03F1/00	分类号：	G03F1/00;G03F1/84;H01L21/66;H01L51/56
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	518172 广东省深圳市龙岗区***	国省代码：	广东;44
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	一种金属掩膜板(700)缺陷的判断方法以及一种用于判断金属掩膜板(700)缺陷的制造设备(100)，金属掩膜板(700)用于贴合像素基板(800)以辅助像素基板(800)形成多个基板像素点(820)。判断方法包括步骤：(S112)获取金属掩膜板(700)的图像，图像包括图像像素点；(S114)在同一参考坐标系下，建立图像像素点和基板像素点(820)的位置关系；(S116)测试基板像素点(820)以判断基板像素点(820)是否异常并获取异常的基板像素点(820)的坐标位置；和(S118)根据异常的基板像素点(820)的坐标位置和位置关系确定金属掩膜板(700)的缺陷位置。
搜索关键词：	金属掩膜板像素点基板图像像素点制造设备坐标位置图像参考坐标系测试基板多个基板辅助像素缺陷位置像素基板贴合
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

PCT国内申请，权利要求书已公开。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市柔宇科技有限公司，未经深圳市柔宇科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780053925.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

光掩膜版、半导体器件的制作方法、半导体器件及存储芯片-201410345526.3
发明人：李绍彬;杨芸;仇圣棻 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本申请公开了一种光掩膜版、半导体器件的制作方法、半导体器件及存储芯片。该光掩膜版，包括光图形区以及光阻挡区，其中光图形区包括至少一个源线图形单元和至少一个漏极接触孔图形单元。采用该光掩膜版进行光刻的过程中，光能够穿过源线图形单元和漏极接触孔图形单元照射在光刻胶上并使得光刻胶发生感光，再采用腐蚀液去除感光的光刻胶以形成源线和漏极接触端的图形，从而减少了光刻的次数，进而简化了半导体器件的制作工艺流程，并降低半导体器件的制作成本。

光掩模的制造方法-201410520048.5
发明人：荒井一尚 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本发明提供一种光掩模的制造方法，所述光掩模用于晶片加工，能够低价且容易地制造光掩模。所述制造方法的特征在于，其具备以下工序：准备工序，准备透光板和遮光板，所述透光板透光并具有与要加工的晶片同等以上的大小，所述遮光板遮挡光并具有与要加工的晶片同等以上的大小；槽形成工序，在该遮光板的应透过光的区域的正面形成不到达背面的槽；一体化工序，在该遮光板的形成有槽的正面夹着透光的黏合剂来粘贴该透光板从而形成为一体；以及磨削工序，在实施该一体化工序之后，将该透光板侧保持于卡盘工作台并对该遮光板的背面进行磨削，使该槽在背面露出。

掩膜版及掩膜曝光方法、掩膜系统和图形控制装置-201610105769.9
发明人：王伟;孙中元 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本发明涉及一种掩膜版及掩膜曝光方法、掩膜系统和图形控制装置。本发明提供的掩膜版，具有图形控制层，该图形控制层包括透光单元、与各个透过单元相连的控制电路；所述控制电路与各个透光单元相连，用于控制每一个透光单元在透光状态和不透光状态之间进行转换，以形成不同的掩膜图案。这样就可以通过控制电路对各个透光单元进行控制，使得该掩膜版能够提供不同的掩膜图形，从而使得该掩膜版应用于不同的图案化工艺中，从而降低开发制作掩膜版所需的成本。并且本发明中，通过在所述图形控制层的出光方向或入光方向上设置用于将接收到的光线转换为平行光线后出射的光线转换层，能够很好的控制光线入射到被曝光的基板上的位置，从而提高曝光精度。

一种LED光子晶体结构的单元图形及其使用方法-201410498866.X
发明人：张家锦;章磊;熊威 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本发明公开一种光子晶体工艺层的光刻拼接方法，其特征在于，包括：步骤一、定义一光子晶体结构图形特征，所述光子晶体结构图形特征为一距图形中心间距均为s，内圈为正六边形，外圈为正十二边形的图形结构，其中s大于两倍投影光刻机最小分辨率R；步骤二、根据所述光子晶体结构图形特征形成以光子晶体结构；步骤三、在光子晶体结构中提取六边形结构作为单元图形；步骤四、将含所述单元图形的掩模图像作为曝光场曝光视场区域。本发明还公开了一种包含光子晶体结构的单元图形的掩模版，一种LED光子晶体工艺层的制作方法以及一种包含光子晶体结构的单元图形的掩模版的制作方法。

光掩模的制造方法、显示装置的制造方法以及描绘装置-201410411893.9
发明人：剑持大介 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： G03F1/00
摘要：提供光掩模的制造方法、显示装置的制造方法以及描绘装置，能够提高形成在被转印体上的图案的坐标精度。本发明的光掩模的制造方法具有以下工序：准备图案设计数据(A)；获得表示由于将光掩模保持到曝光装置而引起的主表面的变形量、且是除了自重挠曲成分以外的变形量的转印面修正数据(D)；获得表示在将光掩模坯体载置到了描绘装置的工作台上的状态下的、主表面的高度分布的描绘时高度分布数据(E)；通过描绘时高度分布数据(E)与转印面修正数据(D)的差分获得描绘差分数据(F)；以及计算与描绘差分数据(F)对应的坐标偏差量，求出描绘用坐标偏差量数据(G)。

用于气溶胶喷射打印的焊接掩模组合物-201610003930.1
发明人： Y·吴;K·哈弗雅德 -专利权人：施乐公司
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本发明提供了一种用于气溶胶喷射打印的焊接掩模油墨，其包含金属氧化物和基于丙二醇的溶剂；所述焊接掩模油墨在25℃下于101/s的剪切速率下具有约50cps至约1,000cps的粘度，并且剪切稀化指数为约1.0至约2.0。

一种掩膜板-201510714183.8
发明人：许卓;白雅杰;王小元;金在光;尚飞 -专利权人：重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本发明提供一种掩膜板，用于解决现有技术中掩膜板的过孔图案在曝光后形成的过孔电阻大的问题。本发明提供的掩膜板，由于掩膜板的过孔图案包括主体部分和与主体部分连接并朝向所述主体部分外侧的至少2个突出部分；突起及相邻突之间通过曝光分别形成过孔的突出部分和凹陷部分，增加了过孔的周长，扩大了过孔的边缘区域，有效的降低了过孔的电阻。

一种金属掩膜制备方法-201610339907.X
发明人：高志豪 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本发明涉及掩膜板制造领域，尤其涉及一种金属掩膜制备方法，通过激光加工图形方式取代传统的黄光与蚀刻工艺，即以皮秒级激光加工开口区，通过单面加工方式来避免传统双面加工生产方式所产生的累计误差，进而使得加工精度远远高于传统生产流程中采用曝光/显影/蚀刻的累计精度；并可通过调整激光入射角来满足金属掩膜所需的蒸镀角度需求；同时还避免了高额设备投资与厂区建设费用。

曝光用掩模版及掩模版组-201920027004.7
发明人：向洋;张波;彭林;叶宁;李凡 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本实用新型提供一种曝光用掩模版及掩模版组，所述曝光用掩模版包括：透光区；所述透光区包括：正常曝光区域和拼接区域；所述拼接区域设置在所述正常曝光区域的两侧，所述拼接区域的光透过率低于所述正常曝光区域的光透过率。本实用新型提供一种曝光用掩模版及掩模版组，可解决掩模版拼接处曝光能量不均一的问题。

一种光刻掩膜版-201822152257.5
发明人：王峰 -专利权人：苏州瑞而美光电科技有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本实用新型公开了一种光刻掩膜版，包括透明基板，所述透明基板包括第一表面和第二表面，所述第一表面形成有掩膜接触面图形化结构，所述掩膜接触面图形化结构包括多个凹沟道，所述凹沟道内形成有金属掩膜层。通过在基板面的表面根据掩膜的需求制作图形化凹沟道，在凹沟道内填充金属掩膜层，填充厚度与凹沟道深度一致，从而使基板面和金属掩膜层面处于同一平面，再用电化学抛光的方式去除剥离留下来的毛刺，大大提高了掩膜版接触面的表面平整度。

掩膜版及掩膜曝光系统、拼接曝光方法、基板-201610543835.0
发明人：胡明;张明;刘国冬;许邹明 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本发明提供了一种掩膜版及掩膜曝光系统、拼接曝光方法，本发明中，在主体曝光区域的第一侧边缘设置第一曝光区域，第二侧边缘设置第三曝光区域，还设置位于第一曝光区域和第三曝光区域之间的第二曝光区域；其中，所述第一曝光区域的遮光图案与所述第二曝光区域的第二侧边缘的遮光图案相同，适于对第二曝光区域的第二侧边缘的遮光图案进行遮挡；所述第三曝光区域的遮光图案与所述第二曝光区域的第一侧边缘的遮光图案相同，适于对第二曝光区域的第一侧边缘的遮光图案进行遮挡；所述第一侧和所述第二侧为相对的两侧。本发明提供的方案，可以使得掩膜版的利用率得到提高，从而提升掩膜的效率。

使用激光图案化制造阴影掩膜的装置和使用激光图案化制造阴影掩膜的方法-201580077730.4
发明人：朴钟甲;金度勋;金范相 -专利权人： AP系统股份有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： G03F1/00
摘要：根据本发明的用于制造阴影掩膜的装置和方法包括：在基座的顶部上定位设置有与要被制造的掩膜图案对应的遮掩图案的掩膜部分的步骤；以及通过从掩膜部分的顶部照射激光束并且使用已经穿过掩膜部分的激光束对基座进行处理而在基座上制备对应于遮掩图案的掩膜图案的步骤，其中提供多个遮掩图案以具有不同的宽度，并且提供朝向基座被定位的方向宽度更窄的遮掩图案，使得从掩膜部分的顶部被照射的激光束在逐步穿过多个遮掩图案之后被照射在基座上。此外，使用相移掩膜和狭缝掩膜逐渐调整图案周围的强度，从而使能进行沉积掩膜所需的锥形过程。

一种曝光用掩模板-201821793927.5
发明人：刘威;吴德生 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本实用新型公开了一种曝光用掩模板，属于掩模板技术领域，该曝光用掩模板包括掩模板，所述掩模板顶面设置有上膜面，底面设置有下膜面，所述掩模板上方设置有透镜，所述透镜上方设置有光源，所述掩模板下方设置有涂覆光阻的待曝光物，解决了现有的掩模板光容易产生偏离，曝光精度有待提高的问题，提高了曝光精度。

用于化学铣削工艺制作镀金铜带微连接线的光刻掩膜版-201611015245.7
发明人：曹乾涛;莫秀英;龙江华 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本发明公开了一种用于化学铣削工艺制作镀金铜带微连接线的光刻掩膜版。其掩膜版版图结构包括正方形外框以及由正方形外框的四个顶点两两相连形成的两条对角梁，由两条对角梁将正方形外框平分成四个呈等腰直角三角形的有效图形区；每个有效图形区内均设有微连接线图形；所述微连接线图形是由若干个相等宽度、相互平行且等间距设置的微连接线组成，各条微连接线均垂直于对应的有效图形区的斜边；每条微连接线的一端位于有效图形区的斜边，另一端位于有效图形区的一条直角边。本发明中的光刻掩膜版版图结构布局方式趋于合理，光刻转移图形后，再通过化学铣削工艺形成的整体微结构整体受力均匀。

金属掩膜板缺陷的判断方法和制造设备-201780053925.4
发明人：张耀宇;王彤;康慧 -专利权人：深圳市柔宇科技有限公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G03F1/00
摘要：一种金属掩膜板(700)缺陷的判断方法以及一种用于判断金属掩膜板(700)缺陷的制造设备(100)，金属掩膜板(700)用于贴合像素基板(800)以辅助像素基板(800)形成多个基板像素点(820)。判断方法包括步骤：(S112)获取金属掩膜板(700)的图像，图像包括图像像素点；(S114)在同一参考坐标系下，建立图像像素点和基板像素点(820)的位置关系；(S116)测试基板像素点(820)以判断基板像素点(820)是否异常并获取异常的基板像素点(820)的坐标位置；和(S118)根据异常的基板像素点(820)的坐标位置和位置关系确定金属掩膜板(700)的缺陷位置。

一种掩模板及其制作方法-201811360960.3
发明人：叶小龙;黄执祥 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本申请公开了一种掩模板及其制作方法，掩模板包括：基板和阻光层；阻光层铺设在基板上；阻光层上排布有多个透光通孔，所述透光通孔沿垂直于阻光层的方向贯穿阻光层，透光通孔的孔径a为：0.8um≤a≤4um。透光通孔的孔径小于对准式曝光系统的最小分辨率，进行曝光时，透过通孔的光线不再以直射的方式照射到产品原材料上，而是以光衍射的辐射能量的形式存在于产品原材料表面的感光材料内，从而起到改变阻光层的光学透过率的效果，阻光层的透过率可以改变为0(不透光)至100％(透光)间的任意值，使得阻光层的不同部位可以具有不同的光学透过率。

一种光刻掩膜版及其制备方法-201811567935.2
发明人：王峰 -专利权人：苏州瑞而美光电科技有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本发明公开了一种光刻掩膜版，包括透明基板，所述透明基板包括第一表面和第二表面，所述第一表面形成有掩膜接触面图形化结构，所述掩膜接触面图形化结构包括多个凹沟道，所述凹沟道内形成有金属掩膜层。通过在基板面的表面根据掩膜的需求制作图形化凹沟道，在凹沟道内填充金属掩膜层，填充厚度与凹沟道深度一致，从而使基板面和金属掩膜层面处于同一平面，再用电化学抛光的方式去除剥离留下来的毛刺，大大提高了掩膜版接触面的表面平整度。

组合掩膜版-201821269953.8
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本实用新型公开一种组合掩膜版，该组合掩膜版包括第一子掩膜版和第二子掩膜版，第一子掩膜版上形成有第一光掩膜图形，第二子掩膜版上形成有第二光掩膜图形，第一光掩膜图形和第二光掩膜图形具有重迭在同一曝光区域内的交互插排图形。本实用新型将复杂的掩膜图形分解为两个简单的子掩膜图形，在一个刻蚀制程中转印至基底上，简化了刻蚀工艺并提高了套刻精度。

一种用于拼接曝光作业的掩膜板-201821248677.7
发明人：林建伟;陈家幸;庄崇营;李林 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本实用新型提供了一种用于拼接曝光作业的掩膜板，包括曝光区和非曝光区，所述曝光区内设有至少一组标尺组；所述标尺组包括第一标尺和第二标尺；所述第一标尺与第二标尺分别位于曝光区域的两侧且对应设置，拼接曝光后所述第一标尺形成的第一刻度图案和第二标尺形成的第二刻度图案对应形成对位标识。本实用新型由于设置了位于曝光区域且对应设置的第一标尺和第二标尺，使得拼接曝光后所述第一标尺形成的第一刻度图案和第二标尺形成的第二刻度图案对应形成对位标识，拼接曝光作业后，可以直接通过显微镜读出第一标尺与第二标尺的偏移量，从而有效快速地获取拼接偏位值。而且，能够有效应用于不同膜层的对位拼接偏位值读取。

一种掩膜版组件-201820576296.5
发明人：曹阿江 -专利权人：湖州博立科技股份有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本实用新型公开了一种掩膜版组件,包括下掩膜版(1)，下掩膜版(1)两侧的上部还设有导槽(14),下掩膜版(1)上还设有一个以上的下槽口(12)，下槽口(12)与导槽(14)垂直；下掩膜版(1)通过导槽(14)连接有上掩膜版(2)，上掩膜版(2)上设有与下槽口(12)对应的上槽口(22)，上槽口(22)和下槽口(12)平行且形状相同，上掩膜版(2)与导槽(14)垂直的侧边还设有凸板(23)。本实用新型具有制备出的导线宽度可以调整，可以适应灵活多变的实验方案的特点。

掩膜板部件、其掩膜板体矫形方法和掩膜板体曝光方法-201710366560.2
发明人：詹敏 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本发明实施例提供了一种掩膜板部件、其掩膜板体矫形方法和掩膜板体曝光方法，解决了基于现有掩膜板进行曝光过程后，半成品表面上位于不同位置但具有相同设计的掩膜图案的尺寸不一致的问题。本发明一实施例提供的一种掩膜板部件包括：掩膜板体；形变检测组件，构造为检测所述掩膜板体的形变大小；以及形变矫正组件，构造为对所述掩膜板体的形变进行矫正。

光罩装置-201820696287.X
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本实用新型实施例公开了一种光罩装置，包括：数据接口，用于接收图案数据；以及显示屏，具有透明显示区，所述显示屏与所述数据接口连接，用于根据所述数据接口接收到的所述图案数据在所述透明显示区上显示图案；其中，在所述透明显示区上显示有所述图案的显示屏用作光刻工艺中的图形母版。本实用新型实施例的光罩装置形成光刻工艺所使用的图形母版的图案的时间较短。

掩模板、曝光方法和触控面板-201810642760.0
发明人：郑启涛;许邹明;张雷;田健;张贵玉;刘纯建;吴信涛;陈彤 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： G03F1/00
摘要：提供一种掩模板，包括：多个遮光条，所述多个遮光条配置为阻挡光线，所述多个遮光条包围形成的间隙允许光线通过，其中，所述多个遮光条布置成网格状，所述多个遮光条包括第一遮光条和第二遮光条，所述第一遮光条位于所述掩模板的至少一个侧边缘处，所述第一遮光条的宽度大于所述第二遮光条的宽度。还提供一种使用该掩模板的曝光方法和使用该曝光方法制造的触控面板。

显示面板及制作显示面板用掩模板-201820471716.3
发明人：王徐亮;刘明星;甘帅燕;高峰 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本实用新型涉及一种显示面板及制作显示面板用掩模板。掩模板用于制作显示面板，包括显示区，开设有多个间隔设置的第一通孔，过渡显示区，设置于所述显示区的周边，开设有多个间隔设置的第二通孔。所述第二通孔的密度小于所述第一通孔的密度。本实用新型还涉及一种显示面板，包括显示基板和在所述显示基板上阵列排布的像素。像素由前述的掩模板制作得到。本实用新型的掩模板，能够提高掩模板的强度，从而提高像素蒸镀的精准度，避免出现显示面板边缘显色不均的问题。

一种三维立体掩模板及其制备工艺-201210010755.0
发明人：魏志凌;高小平;王峰;孙倩 -专利权人：昆山允升吉光电科技有限公司
申请日： 2012-01-16 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本发明公开一种三维立体掩模板，该三维立体掩模板具有双层结构，即印刷面具有三维立体芯模构成结构的凸起区域，PCB面具有三维立体结构的凹陷区域。该三维立体掩模板的制备工艺包括如下步骤：芯模前处理→贴膜→曝光→显影→电铸→剥离→双面贴膜→双面曝光→双面显影→双面蚀刻→脱膜→激光切割。用此种制备工艺制备得到的掩模板可以有效降低在向印刷板凸凹部位进行焊膏转移过程中由于位置精度和尺寸精度的很大偏差和掩模的变形而导致产品和掩模的报废；同时，该工艺得到的掩模板具有高表面质量，图形开口平滑，无毛刺，无变形，具有高的光亮度和低的表面粗糙度。此外，本发明的制备工艺步骤简单，高效且成本低，利于大规模的生产和推广。

光掩模坯料及其制造方法-201810596424.7
发明人：稻月判臣;吉井崇;桜田豊久;池田显;金子英雄;渡边聪;河合义夫 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本发明涉及一种光掩模坯料，所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩模坯料及其制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。

一种掩膜版组件-201810364616.5
发明人：曹阿江 -专利权人：湖州博立科技股份有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本发明公开了一种掩膜版组件,包括下掩膜版(1)，下掩膜版(1)两侧的上部还设有导槽(14),下掩膜版(1)上还设有一个以上的下槽口(12)，下槽口(12)与导槽(14)垂直；下掩膜版(1)通过导槽(14)连接有上掩膜版(2)，上掩膜版(2)上设有与下槽口(12)对应的上槽口(22)，上槽口(22)和下槽口(12)平行且形状相同，上掩膜版(2)与导槽(14)垂直的侧边还设有凸板(23)。本发明具有制备出的导线宽度可以调整，可以适应灵活多变的实验方案的特点。

掩膜板-201610016716.X
发明人：马骏;杨成绍 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本发明公开了一种掩膜板，属于显示技术领域。该掩膜板包括：透明基板；所述透明基板上形成有至少两层电致变色薄膜图形，每层所述电致变色薄膜图形的上下两侧形成有透明电极；所述至少两层电致变色薄膜图形能够在所述透明电极的作用下在显示基板上形成至少两种不同的掩膜图形。本发明提供的掩膜板能够在显示基板上形成至少两种不同的掩膜图形，解决了相关技术中显示基板制造成本较高的问题，降低了显示基板制造过程中所需要使用的掩膜板的数量，从而简化了TFT‑LCD的制造工艺，降低了TFT‑LCD的制造成本。本发明用于制造显示基板。

光学掩膜板及基于光学掩膜板的光学掩膜基板的制备方法-201810254408.X
发明人：刘永;张尚明;马小叶;刘国冬;张东徽 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本发明实施例提供了一种光学掩膜板及基于光学掩膜板的光学掩膜基板的制备方法。所述光学掩膜板包括：具有指定图案的透光区、以及遮光区；所述指定图案包括能够拼接出至少两种待曝光图案的单元图案；可用于制备多种不同的光学掩膜基板，增加通用性。本发明实施例还提供了一种还提供了一种基于光学掩膜板的光学掩膜基板的制备方法，包括：确定出能够拼接出待曝光图案的单元图案，基于该单元图案周期性地对待曝光膜板进行曝光，直到在所述待曝光基板上形成所述待曝光图案，得到所述光学掩膜基板；通过控制曝光次数，来制备多种待曝光图案的光学掩膜基板，可大大降低生产成本，减少生产资源的浪费。

光掩模坯及其制备方法-201711430591.6
发明人：高坂卓郎;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本发明涉及一种光掩模坯及其制造方法。本发明的光掩模坯，包括透明基材、至少一个含铬和氮且不含硅的膜(A)、以及至少一个含硅和氧且不含过渡金属的膜(B)，膜(A)和膜(B)彼此接触。在该光掩模坯中，当通过飞行时间二次离子质谱法(TOF‑SIMS)沿膜的厚度方向测量二次离子强度时，在位于膜(A)和膜(B)的界面或其附近且具有源自SiCrO5的二次离子最大强度的位置处，源自Cr2O5的二次离子的强度低于源自SiN的二次离子的强度。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]金属掩膜板缺陷的判断方法和制造设备在审

专利文献下载