[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201780052279.X | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109844958B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 三岛友義;堀切文正 | 申请（专利权）人： | 学校法人法政大学;赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;C23C16/34;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/868;H01L29/872;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
半导体装置具有：具有n型的导电型的第一半导体层，其由氮化镓系半导体形成；具有p型的导电型的第二半导体层，其层叠在第一半导体层的正上方，由以1×10 |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有：具有n型的导电型的第一半导体层，其由氮化镓系半导体形成；具有p型的导电型的第二半导体层，其层叠在所述第一半导体层的正上方，由以1×1020cm‑3以上的浓度添加有p型杂质的氮化镓系半导体形成；第一电极，其被配置成与所述第一半导体层接触；以及第二电极，其被配置成与所述第二半导体层接触，所述半导体装置作为pn结二极管来发挥功能。
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