[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

半导体装置具有：具有n型的导电型的第一半导体层，其由氮化镓系半导体形成；具有p型的导电型的第二半导体层，其层叠在第一半导体层的正上方，由以1×10²⁰cm^‑3以上的浓度添加有p型杂质的氮化镓系半导体形成；第一电极，其被配置成与第一半导体层接触；以及第二电极，其被配置成与第二半导体层接触，所述半导体装置作为pn结二极管来发挥功能。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

氮化镓(GaN)系半导体作为高耐压、高输出的高频电子元件材料和能够发出红光至紫外光的发光元件材料而受到关注。

在使用GaN系半导体来形成作为二极管发挥功能的pn结的情况下，例如，利用p型杂质浓度为10¹⁸cm^-3左右且厚度为数百nm左右的p型GaN系半导体层与p型杂质浓度为10²⁰cm^-3左右且厚度为数十nm左右的p型GaN系半导体层的层叠构造，来构成p型半导体层(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2015-149391号公报

发明内容

发明要解决的问题

如果能够使p型半导体层的结构简单化，则从简化p型半导体层的制造工序等观点来看是优选的。

本发明的一个目的在于提供一种作为使用GaN系半导体的pn结二极管来发挥功能的、能够实现p型半导体层的结构的简单化的半导体装置及其制造方法、以及能够在该半导体装置及其制造方法中使用的半导体层叠物。

用于解决问题的方案

根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置，其具备：

具有n型的导电型的第一半导体层，其由氮化镓系半导体形成；

具有p型的导电型的第二半导体层，其层叠在所述第一半导体层的正上方，由以1×10²⁰cm^-3以上的浓度添加有p型杂质的氮化镓系半导体形成；

第一电极，其被配置成与所述第一半导体层接触；以及

第二电极，其被配置成与所述第二半导体层接触，

所述半导体装置作为pn结二极管来发挥功能。

根据本发明的其它观点，提供一种半导体装置的制造方法，其具有以下工序：

准备具有第一半导体层和第二半导体层的半导体层叠物，该第一半导体层由氮化镓系半导体形成，具有n型的导电型，该第二半导体层层叠在所述第一半导体层的正上方，由以1×10²⁰cm^-3以上的浓度添加有p型杂质的氮化镓系半导体形成，具有p型的导电型；

形成第一电极，该第一电极被配置成与所述第一半导体层接触；以及

形成第二电极，该第二电极被配置成与所述第二半导体层接触，

所述方法制造作为pn结二极管来发挥功能的半导体装置。

根据本发明的另一观点，提供一种半导体层叠物，其具有：

具有n型的导电型的第一半导体层，其由氮化镓系半导体形成；以及

具有p型的导电型的第二半导体层，其层叠在所述第一半导体层的正上方，由以1×10²⁰cm^-3以上的浓度添加有p型杂质的氮化镓系半导体形成，

能够使所述半导体层叠物作为pn结二极管来发挥功能。