[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法

摘要

使相邻的p型保护环(21)彼此的间隔全部达到p型深层(5)彼此的间隔以下。由此，p型保护环(21)的间隔增大、即沟槽(21a)变稀疏，由此能够抑制在使外延生长p型层(50)时在保护环部形成得较厚。因此，如果在回蚀时将单元部的p型层(50)去除，则能够在保护环部不留残渣地去除p型层(50)。因此，在对p型层(50)进行回蚀来形成p型深层(5)或p型保护环(21)及p型连接层(30)时，能够抑制p型层(50)的残渣残留在保护环部。

主权项

1.一种碳化硅半导体装置，其是具有单元部和外周部的半导体装置，该外周部包括包围所述单元部的外周的保护环部、以及位于该保护环部和所述单元部之间的连接部，所述碳化硅半导体装置具有第1或者第2导电型的基板(1、101)、以及第1导电型的漂移层(2、102)，该漂移层形成于所述基板的表面侧，被设为杂质浓度比所述基板的杂质浓度低，在所述单元部或者在所述单元部及所述连接部设有第2导电型层(5、31、103)，该第2导电型层被配置于在所述漂移层形成为条状的多个线状的第1沟槽内(5a、30a、103a)，由第2导电型的外延膜构成，在所述单元部具有与所述第2导电型层电连接的第1电极(9、106)和形成于所述基板的背面侧的第2电极(11、107)，在所述第1电极和所述第2电极之间设有流过电流的纵型的半导体元件，在所述保护环部或者在所述保护环部及所述连接部设有第2导电型环(21、104、105)，该第2导电型环被配置在线状的第2沟槽(21a、104a、105a)内，由第2导电型的外延膜构成，该第2沟槽从所述漂移层的表面形成，并且形成为包围所述单元部的多个框形状，将所述第2导电型环中位于外周侧的至少一部分作为所述保护环部具有的保护环(21、104)，相邻的所述保护环彼此的间隔越朝向所述单元部的外周越大，并且相邻的所述保护环彼此的间隔中最大的间隔被设为相邻的所述深层彼此的间隔以下。