[发明专利]具有用于竖直沟道的电荷载流子注入阱的三维存储器器件及其制造和使用方法有效
| 申请号： | 201780038300.0 | 申请日： | 2017-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN109314147B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | Y·张;J·阿尔斯梅尔;J·凯 | 申请（专利权）人： | 闪迪技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792;H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;王爽 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了埋藏源半导体层和p掺杂半导体材料部分，所述埋藏源半导体层和所述p掺杂半导体材料部分形成在衬底的第一部分上方。所述埋藏源半导体层为n掺杂半导体材料，并且所述p掺杂半导体材料部分嵌入所述埋藏源半导体层内。绝缘层和间隔材料层的交替堆叠在所述衬底上方形成。存储器堆叠结构穿过所述交替堆叠形成。所述间隔材料层形成为导电层或者被导电层替换。所述埋藏源半导体层可在形成所述交替堆叠之前或之后形成。所述埋藏源半导体层位于所述交替堆叠之下且覆于所述衬底的所述第一部分之上，并且接触所述竖直半导体沟道的至少一个表面。所述p掺杂半导体材料部分接触所述竖直半导体沟道的相应子集的至少一个表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 竖直 沟道 电荷 载流子 注入 三维 存储器 器件 及其 制造 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器器件，包括：绝缘层和导电层的交替叠堆，所述绝缘层和导电层的交替叠堆位于衬底之上；存储器堆叠结构，所述存储器堆叠结构穿过所述交替堆叠延伸，每个所述存储器堆叠结构包括存储器膜和竖直半导体沟道；埋藏源半导体层，所述埋藏源半导体层包括n掺杂半导体材料，位于所述交替堆叠和所述衬底的第一部分之间，并且接触所述竖直半导体沟道的至少一个表面；和p掺杂半导体材料部分，所述p掺杂半导体材料部分嵌入所述埋藏源半导体层并接触所述竖直半导体沟道的相应子集的至少一个表面，其中所述p掺杂半导体材料部分由所述埋藏源半导体层彼此横向隔开。
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