[发明专利]半导体集成电路装置

摘要

在包括纳米线FET(P11、P12、N11、N12)的标准单元(1)中，与纳米线(11、12、13、14)连接的垫(21、22、23、24、25、26)以规定的中心间距(Pp)布置在纳米线(11、...)延伸的X方向上。标准单元(1)的单元宽度(Wcell)是中心间距(Pp)的整数倍。在布置标准单元(1)构成半导体集成电路装置的版图的情况下，垫(21、...)有规律地布置在X方向上。

主权项

1.一种半导体集成电路装置，其特征在于：其包括至少一个标准单元，该标准单元包括至少一条纳米线场效应晶体管，所述纳米线场效应晶体管包括纳米线、垫以及栅极电极，所述纳米线沿着第一方向延伸，所述纳米线形成有一条，或者，所述纳米线并排着形成有多条，在所述纳米线的所述第一方向的两端分别形成有所述垫，所述垫的下表面位于比所述纳米线的下表面低的位置，所述垫与所述纳米线相连接，所述栅极电极形成为：沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸，且在所述纳米线的所述第一方向上的规定范围内所述栅极电极将所述纳米线围起来，在所述标准单元中，所述垫以第一中心间距布置在所述第一方向上，而且，所述标准单元在所述第一方向上的尺寸即单元宽度是所述第一中心间距的整数倍。