[发明专利]半导体集成电路装置

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置，其特征在于：其包括至少一个标准单元，该标准单元包括至少一条纳米线场效应晶体管，所述纳米线场效应晶体管包括纳米线、垫以及栅极电极，

所述纳米线沿着第一方向延伸，所述纳米线形成有一条，或者，所述纳米线并排着形成有多条，

在所述纳米线的所述第一方向的两端分别形成有所述垫，所述垫的下表面位于比所述纳米线的下表面低的位置，所述垫与所述纳米线相连接，

所述栅极电极形成为：沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸，且在所述纳米线的所述第一方向上的规定范围内所述栅极电极将所述纳米线围起来，

在所述标准单元中，所述垫以第一中心间距布置在所述第一方向上，而且，所述标准单元在所述第一方向上的尺寸即单元宽度是所述第一中心间距的整数倍。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

在所述标准单元中，所述垫在所述第一方向上的尺寸即垫宽相同。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

在所述标准单元中，所述垫之间在所述第一方向上的间距即垫间距相同。

4.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

在所述标准单元中，供形成P型所述纳米线场效应晶体管的P型半导体区和供形成N型所述纳米线场效应晶体管的N型半导体区并排着布置在所述第二方向上，

在所述P型半导体区和所述N型半导体区，所述垫在所述第一方向上的位置一致。

5.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述标准单元包括在所述第一方向上相邻的第一标准单元和第二标准单元，

所述第一标准单元所具有的所述垫与所述第二标准单元所具有的所述垫夹着所述第一标准单元和所述第二标准之间的单元交界而相对，所述第一标准单元所具有的所述垫和所述第二标准单元所具有的所述垫以所述第一中心间距布置好。

6.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

在所述标准单元中，所述栅极电极以第二中心间距布置在所述第一方向上，

所述第二中心间距与所述第一中心间距相等。

7.根据权利要求6所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

在所述标准单元中，供形成P型所述纳米线场效应晶体管的P型半导体区和供形成N型所述纳米线场效应晶体管的N型半导体区并排着布置在所述第二方向上，

P型所述纳米线场效应晶体管所具有的所述栅极电极和N型所述纳米线场效应晶体管所具有的所述栅极电极形成为一体，且沿所述第二方向直线状延伸。

8.一种半导体集成电路装置，其特征在于：其包括纳米线场效应晶体管即第一晶体管和第二晶体管，

所述第一晶体管和所述第二晶体管分别包括纳米线、第一垫和第二垫以及栅极电极，

所述纳米线沿着第一方向延伸，所述纳米线形成有一条，或者，所述纳米线并排着形成有多条，

在所述纳米线的所述第一方向的两端分别形成有所述第一垫和所述第二垫，所述第一垫和所述第二垫的下表面分别位于比所述纳米线的下表面低的位置，所述第一垫和所述第二垫分别与所述纳米线相连接，所述第一垫和所述第二垫的中心间距为第一中心间距，

所述栅极电极形成为：沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸，且在所述纳米线的所述第一方向上的规定范围内所述栅极电极将所述纳米线围起来，

所述第一晶体管和所述第二晶体管串联连接且共有所述第二垫，所述第一晶体管和所述第二晶体管相邻着布置在所述第一方向上，

所述第一晶体管所具有的所述栅极电极和所述第二晶体管所具有的所述栅极电极以第二中心间距布置在所述第一方向上，

所述第二中心间距与所述第一中心间距相等。

9.根据权利要求8所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第一晶体管和所述第二晶体管所具有的所述纳米线的条数不同。