[发明专利]半导体装置及制造方法、成像装置、以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201780008573.0 申请日: 2017-01-20
公开(公告)号: CN108604574B 公开(公告)日: 2022-08-26
发明(设计)人: 宝玉晋 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L21/60;H01L27/146;H04N5/369;H05K3/46
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本技术涉及:一种允许以高度平坦性、低成本来安装部件的半导体装置;一种制造方法;一种成像装置;以及一种电子设备。该半导体装置具有:核心基板;多层布线层,形成在核心基板的表面上并且具有多个导电层和多个绝缘层;开口,形成在多层布线层中并且至少穿透绝缘层之中的距离核心基板最远的最外层绝缘层;以及安装元件,安装元件连接至开口中的设置于规定的导电层的垫片部,规定的导电层定位成比导电层之中的距离核心基板最远的最外层导电层更靠近核心基板侧。本技术可以应用于成像装置。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法 成像 以及 电子设备
【主权项】:
1.一种制造半导体装置的方法,所述半导体装置包括:核心基板;多层布线层,包括多个导电层和多个绝缘层,所述多层布线层形成在所述核心基板的表面上;开口,形成在所述多层布线层中,所述开口至少穿透所述多个绝缘层之中的距离所述核心基板最远的最外层绝缘层;以及安装元件,连接至所述开口中的设置在预定的导电层上的垫片部,所述预定的导电层定位成比所述多个导电层之中的距离所述核心基板最远的最外层导电层更靠近所述核心基板;所述方法包括下列步骤:为了形成所述开口,向形成在与所述预定的导电层相邻的相邻绝缘层中的开口部涂布抗蚀剂,在形成于所述相邻绝缘层上的籽晶金属上形成抗蚀剂图案;在执行电镀并且移除所述抗蚀剂之后,通过移除位于包括所述开口部的所述相邻绝缘层上的所述籽晶金属而形成与所述预定的导电层相邻的导电层;并且在形成所述最外层绝缘层之后,形成所述开口。
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