[发明专利]半导体装置及制造方法、成像装置、以及电子设备有效
申请号: | 201780008573.0 | 申请日: | 2017-01-20 |
公开(公告)号: | CN108604574B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 宝玉晋 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L21/60;H01L27/146;H04N5/369;H05K3/46 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 成像 以及 电子设备 | ||
1.一种制造半导体装置的方法,
所述半导体装置包括:
核心基板;
多层布线层,包括多个导电层和多个绝缘层,所述多层布线层形成在所述核心基板的表面上;
开口,形成在所述多层布线层中,所述开口至少穿透所述多个绝缘层之中的距离所述核心基板最远的最外层绝缘层;以及
安装元件,连接至所述开口中的设置在预定的导电层上的垫片,所述预定的导电层定位成比所述多个导电层之中的距离所述核心基板最远的最外层导电层更靠近所述核心基板;
所述方法包括下列步骤:
向形成在与所述预定的导电层相邻的相邻绝缘层中的开口部涂布抗蚀剂,从而在形成于所述相邻绝缘层上的籽晶金属上形成抗蚀剂图案,所述相邻绝缘层形成在所述预定的导电层的表面上;
在所述抗蚀剂图案的开口部中执行电镀并且移除所述抗蚀剂图案之后,通过移除位于包括所述相邻绝缘层中的所述开口部的所述相邻绝缘层上的所述籽晶金属而形成与所述预定的导电层相邻的导电层;并且
在形成所述最外层绝缘层之后,形成所述开口。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括步骤:在所述开口中的、所述安装元件与所述垫片之间的连接部处形成保护所述连接部的保护性树脂。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,凹槽状的所述开口形成在所述多层布线层中,以包围面向所述安装元件的区域。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,多个所述开口形成在所述多层布线层中以包围面向所述安装元件的区域,并且空气通道形成在彼此相邻的所述开口之间,由所述开口包围并面向所述安装元件的所述区域通过所述空气通道连接至外部。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,利用与所述保护性树脂不同的另一种树脂密封所述空气通道。
6.根据权利要求4所述的方法,其中,
所述安装元件是成像元件;
用具有透光性质的材料形成所述核心基板,所述成像元件连接至所述垫片,使所述成像元件的光接收部面向所述核心基板;并且
将从外部进入并且穿过所述核心基板的光引导至所述成像元件的所述光接收部的透光开口形成在所述多层布线层的面向所述成像元件的部分处。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,由所述开口包围的面向所述成像元件的所述区域填充有透明树脂。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述安装元件与所述垫片通过凸点连接相连。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述多层布线层的绝缘层中的一个绝缘层的厚度比形成所述多层布线层的其他绝缘层的厚度大。
10.一种半导体装置,包括:
核心基板;
多层布线层,包括多个导电层和多个绝缘层,所述多层布线层形成在所述核心基板的表面上;
开口,形成在所述多层布线层中,所述开口至少穿透所述多个绝缘层之中的距离所述核心基板最远的最外层绝缘层;以及
安装元件,连接至所述开口中的设置在预定的导电层上的垫片,所述预定的导电层定位成比在所述多个导电层之中的距离所述核心基板最远的最外层导电层更靠近所述核心基板,
其中,多个所述开口形成在所述多层布线层中以包围面向所述安装元件的区域,并且空气通道形成在彼此相邻的所述开口之间,由所述开口包围并面向所述安装元件的所述区域通过所述空气通道连接至外部。
11.根据权利要求10所述的半导体装置,其中,在所述开口中的、所述安装元件与所述垫片之间的连接部处形成保护所述连接部的保护性树脂。
12.根据权利要求11所述的半导体装置,其中,凹槽状的所述开口形成在所述多层布线层中,以包围面向所述安装元件的所述区域。
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