[实用新型]一种晶圆级芯片封装结构

摘要

本实用新型公开了一种晶圆级芯片封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其硅基本体（100）的正面设有钝化层（101）并嵌有金属焊盘（102），在硅基晶圆（100）正面覆盖正面保护层（200），在金属焊盘（102）处形成正面保护层金属焊盘开口（202），在正面保护层金属焊盘开口（202）内设置金属凸块（300），硅基本体（100）的四个侧壁兼有高低起伏的纹路，用填充料包覆金属凸块（300）、正面保护层（200）的裸露面以及硅基本体（100）的侧壁，形成包封层（500），所述金属凸块（300）的上表面露出包封层（500），硅基本体（100）的背面贴上背胶膜形成背面保护层（600）。提供了一种有效保护芯片的晶圆级芯片封装结构。

主权项

1.一种晶圆级芯片封装结构，其包括硅基本体(100)，所述硅基本体(100)的正面设有钝化层(101)并嵌有金属焊盘(102)，在所述金属焊盘(102)处设有钝化层开口(103)露出金属焊盘(102)的上表面，其特征在于，在所述硅基本体(100)正面覆盖正面保护层(200)，所述正面保护层的厚度范围为2微米至20微米，在金属焊盘(102)处形成正面保护层金属焊盘开口(202)，正面保护层金属焊盘开口(202)小于金属焊盘钝化层开口(103)，在所述正面保护层金属焊盘开口(202)内设置金属凸块(300)，所述金属凸块(300)的高度范围在5微米至50微米，所述硅基本体(100)的厚度范围为50微米至500微米，其纵截面呈矩形、正梯形或倒梯形，并且其四个侧壁兼有高低起伏的纹路；用填充料包覆金属凸块(300)、正面保护层(200)的裸露面以及硅基本体(100)的侧壁，形成包封层(500)，所述包封层(500)在硅基本体(100)的侧壁的宽度范围在15‑150微米，所述金属凸块(300)的上表面露出包封层(500)，硅基本体(100)的背面贴上背胶膜形成背面保护层(600)。