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[实用新型]丝网样板-CN201821448189.0有效
发明人：彭海 -专利权人：无锡元核芯微电子有限责任公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了丝网样板,包括正面保护层，正面保护层一侧设有背面保护层，正面保护层和背面保护层之间设有正面导体层，正面导体层一侧设有正面电阻层，正面导体层另一侧设有背面导体层，正面电阻层、正面导体层和背面导体层均设置于正面保护层和背面保护层之间
导体层正面保护层背面保护层本实用新型设计方向电阻层丝网背面样板辅助设计演算测试

[发明专利]一种用于触摸屏的ITO薄膜制造方法-CN200810072132.X有效
发明人：钟定锋 -专利权人：深圳市航泰光电有限公司
申请日： 2008-11-17 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开一种用于触摸屏的ITO薄膜制造方法，该方法包括：设置蚀刻保护层，在ITO薄膜的正面设置蚀刻保护层；蚀刻处理，对ITO薄膜正面进行蚀刻；清洁处理，对蚀刻后的ITO薄膜进行清洗；剥离蚀刻保护层，将经过清洁处理的ITO薄膜的蚀刻保护层去除；设置正面保护层，在ITO薄膜的正面可视区域设置保护层；印制银线，在ITO薄膜的正面四周印制银线。由于经过蚀刻处理步骤后，ITO薄膜正面蚀刻保护层对ITO薄膜进行保护，可以在对ITO薄膜进行清洁处理时，提供较高的洁净度，同时可以避免ITO薄膜刮伤、氧化，从而可以提高触摸屏成品率。
一种用于触摸屏 ito 薄膜制造方法

[发明专利]一种汽车抗硫化厚膜晶片电阻及其制造方法-CN201810472863.7在审
发明人：黄正信;刘复强;陈庆良;魏效振 -专利权人：丽智电子（南通）有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种汽车抗硫化厚膜晶片电阻，包括基板，基板的下表面两侧均设置有背面电极，基板的上表面两侧均设置有正面电极组，正面电极组包括从上往下依次堆叠的二层正面电极，在正面电极组之间的基板上表面设置有电阻阻体，电阻阻体上覆盖有第一保护层，第一保护层的上表面设置有镭射线，第一保护层和镭射线上覆盖有第二保护层，第二保护层上覆盖有第三保护层，正面电极组上覆盖有电极保护层，电极保护层靠近电阻阻体的一端夹与第二保护层和第三保护层之间
电阻正面电极第二保护层第一保护层基板阻体电极保护层厚膜晶片覆盖保护层抗硫化镭射线上表面基板上表面抗静电能力背面电极侧面电极防护电极基板两端下表面硫化堆叠二层制备开路汽车侧面制造

[实用新型]一种汽车抗硫化厚膜晶片电阻-CN201820734589.1有效
发明人：黄正信;刘复强;陈庆良;魏效振 -专利权人：丽智电子（南通）有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种汽车抗硫化厚膜晶片电阻，包括基板，基板的下表面两侧均设置有背面电极，基板的上表面两侧均设置有正面电极组，正面电极组包括从上往下依次堆叠的二层正面电极，在正面电极组之间的基板上表面设置有电阻阻体，电阻阻体上覆盖有第一保护层，第一保护层的上表面设置有镭射线，第一保护层和镭射线上覆盖有第二保护层，第二保护层上覆盖有第三保护层，正面电极组上覆盖有电极保护层，电极保护层靠近电阻阻体的一端夹与第二保护层和第三保护层之间
电阻正面电极第二保护层第一保护层基板阻体本实用新型电极保护层厚膜晶片覆盖保护层抗硫化镭射线上表面基板上表面抗静电能力背面电极侧面电极防护电极基板两端下表面堆叠二层硫化开路汽车侧面

[实用新型]一种邦定电阻-CN202320319180.4有效
发明人：罗卓明;何志江;陈洁峰;欧阳铁英;杨理强;林瑞芬;李沛洪;莫雪琼 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：邦定电阻包括绝缘基板、正面电极、背面电极、电阻和保护层，正面电极设有两个，两个正面电极间隔设置在绝缘基板的上表面，背面电极设于绝缘基板的下表面；电阻设置在绝缘基板的上表面，且电阻连接在两个正面电极之间，电阻的上部边缘设有凸沿，凸沿搭接于两个正面电极的上表面；保护层设有两个，其分别为第一保护层和第二保护层，第一保护层覆盖在电阻的上表面，第一保护层具有与两个正面电极的上表面相贴合的第一结合部，电阻处于两个第一结合部的内侧；第二保护层覆盖在第一保护层的上表面，第二保护层具有与两个正面电极的上表面贴合的第二结合部，第一保护层处于两个第二结合部的内侧。
一种电阻

[实用新型]新能源汽车LED灯的高效散热柔性线路板-CN201821426818.X有效
发明人：侯晓明;徐建华;侯燕芬;张素安 -专利权人：常州市武进三维电子有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： F21V23/00 文献下载
摘要：本实用新型属于新能源汽车车灯的线路板技术领域，具体涉及新能源汽车LED灯的高效散热柔性线路板，包括线路层、覆盖在线路层表面的保护层，包括线路层、覆盖在线路层正面的正面保护层、覆盖在线路层反面的反面保护层，所述的正面保护层设有便于LED灯珠与线路层连接的窗口，所述的反面保护层对应LED灯珠处设有加强散热的散热块，散热块的两侧由下向上经保护层侧边延伸至正面保护层表面的窗口处，形成包裹在窗口处柔性线路板外部的包裹结构
保护层新能源汽车正面保护层在线路层窗口处散热块线路层柔性线路板高效散热覆盖包裹结构侧边延伸柔性线路散热效率使用寿命线路板让位孔散热车灯外部

[发明专利]一种FS型IGBT器件的制造方法-CN201710007355.7在审
发明人：程炜涛;訾彤彤;杨晓鸾;王海军;叶甜春 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种FS型IGBT器件的制造方法，包括以下步骤将硅片背面减薄；在硅片的背面注入N型杂质；在硅片的背面生长氧化层保护层；对硅片的正面进行常规步骤直至ILD淀积；在硅片的正面淀积SIN介质保护层；在硅片的正面涂覆光刻胶并将光刻胶烘干；去除硅片背面氧化层保护层；去除硅片正面的保护用光刻胶；在硅片的背面注入P型重掺杂集电区的离子；在硅片的背面淀积氧化层保护层；去除硅片正面的SIN保护层；对硅片的正面从淀积步骤开始继续进行常规的步骤；去除硅片背面的氧化层保护层；对硅片的背面进行常规的背金以及合金步骤。本发明可以对硅片背面的P型离子注入进行良好的激活，又不至于对正面结构引入其他影响进而导致电学参数的漂移。
一种 fs igbt 器件制造方法

[发明专利]半导体芯片的封装方法-CN201910176971.4有效
发明人：周辉星 -专利权人：矽磐微电子（重庆）有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：该封装方法包括：在已制作好半导体芯片的晶圆的正面形成第一预设厚度的保护层；在保护层远离晶圆的一面形成一表面层；对形成有表面层的晶圆的背面减薄至预设厚度；将减薄后具有保护层的晶圆切割成若干具有保护层的半导体芯片该封装方法通过在晶圆正面的保护层上形成一表面层，通过该表面层可有效保护该晶圆正面的保护层在晶圆切割成半导体芯片的过程中不受污染或者损害，利于切割好的半导体芯片的正面附着该保护层进行入半导体芯片面板级封装
半导体芯片封装方法

[实用新型]邮资明信片-CN201821790148.X有效
发明人：张世超;许卫红 -专利权人：深圳市国品金宝珠宝首饰有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： B42D15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种邮资明信片，包括明信片基板；所述明信片基板的正面设置有正面图像区域，明信片基板的背面设有背面图像区域；正面图像区域包括定位槽、锻压形成的足银图案层、足银彩图层及保护层；足银图案层、足银彩图层及保护层依次容置于定位槽内，且足银彩图层设置于足银图案层与保护层之间；保护层的内表面与所述明信片基板的正面相接触，且所述保护层的外表面与所述定位槽的槽口处于同一水平面。本实用新型的足银图案层是采用锻压方式形成的很薄的一层图层，厚度仅为0.8丝，配合足银彩图层，使得正面图像区域更有立体感，从而使得该邮资明信片更有趣味性；且保护层有效保护足银彩图层及足银图案层。
保护层彩图层图案层基板明信片正面图像定位槽本实用新型邮资明信片立体感同一水平面背面图像锻压方式面相接触正面设置内表面槽口锻压图层背面配合

[发明专利]一种抗环境气体腐蚀的电阻-CN201910972410.5有效
发明人：汤华 -专利权人：安徽翔胜科技有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗环境气体腐蚀的电阻，包括陶瓷基板，陶瓷基板下表面设置有背面导体印刷层，陶瓷基板上表面设置有正面导体印刷层，陶瓷基板上表面中心线处设置有电阻体印刷层，电阻体印刷层上表面设置有玻璃保护层，玻璃保护层上方设置有环氧树脂保护层，正面导体印刷层分布于陶瓷基板上表面位于电阻体印刷层的两侧处，正面导体印刷层上表面设置有抗腐蚀保护层。本发明适用于电阻，通过在正面导体印刷层上表面设置有抗腐蚀保护层，有效防止了外界气体从环氧树脂保护层与电镀层之间的缝隙渗入电阻内部腐蚀正面导体印刷层，极大地增加了该电阻的抗腐蚀能力和使用寿命。
一种环境气体腐蚀电阻

[发明专利]一种晶圆级芯片封装结构及其封装方法-CN201711441216.1在审
发明人：赵强;陈栋;张黎;陈锦辉;赖志明 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：其硅基本体（110）的正面设有钝化层（101）并嵌有金属焊盘（102），在硅基本体（110）正面覆盖正面保护层（200），在金属焊盘（102）处形成正面保护层金属焊盘开口（202），在正面保护层金属焊盘开口（202）内设置金属凸块（300），硅基本体（110）的四个侧壁兼有高低起伏的纹路，用填充料包覆金属凸块（300）、正面保护层（200）的裸露面以及硅基本体（110）的侧壁，形成包封层（500），所述金属凸块（300）的上表面露出包封层（500），硅基本体（110）的背面贴上背胶膜形成背面保护层（600）。提供了一种有效保护芯片的方案。
一种晶圆级芯片封装结构及其方法

[发明专利]高焊线质量的芯片框架及其制造方法-CN201610017356.5有效
发明人：许兵;樊增勇;李宁;崔金忠 -专利权人：成都先进功率半导体股份有限公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明的高焊线质量的芯片框架包括框架本体，所述框架本体分为用于封装芯片的框架正面和与框架正面对应的框架背面，所述框架正面涂敷有钯银金镍保护层，所述框架背面涂敷有镍钯金保护层。将芯片框架的正面和背面分别涂敷不同的保护层，框架正面涂敷钯银金镍保护层，框架背面涂敷镍钯金保护层，利用钯银金镍合金涂层使封装在框架正面的芯片引线焊接时速度快、质量好，并利用框架背面涂敷的镍钯金保护层，保护框架和引线脚不变色
高焊线质量芯片框架及其制造方法

[实用新型]一种高焊线质量的芯片框架-CN201620024994.5有效
发明人：许兵;樊增勇;李宁;崔金忠 -专利权人：成都先进功率半导体股份有限公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种芯片框架，具体涉及一种高焊线质量的芯片框架，包括框架本体，所述框架本体分为用于封装芯片的框架正面和与框架正面对应的框架背面，所述框架正面涂敷有钯银金镍合金保护层，所述框架背面涂敷有镍钯金保护层将芯片框架的正面和背面分别涂敷不同的保护层，框架正面涂敷钯银金镍合金保护层，框架背面涂敷镍钯金保护层，利用钯银金镍合金涂层使封装在框架正面的芯片引线焊接时速度快、质量好，并利用框架背面涂敷的镍钯金保护层，保护框架和引线脚不变色，进而使整个框架的焊线质量高、焊接速度快且框架和引线脚不会变色，解决该领域长期存在的技术缺陷，具有较优的技术效果。
一种高焊线质量芯片框架

[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构-CN202010231981.6在审
发明人：周辉星 -专利权人：矽磐微电子（重庆）有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：其中，半导体封装方法包括在被动元件具有电性连接键的表面形成第一保护层，并在所述第一保护层上形成第一保护层开口；其中，所述第一保护层开口与所述被动元件的电性连接键相对应。在待封装的裸片正面形成第二保护层，并在所述第二保护层上形成第二保护层开口；其中，所述待封装的裸片正面设有焊垫，所述第二保护层开口与所述待封装的裸片正面的焊垫相对应。将所述被动元件和所述待封装的裸片间隔贴装于载板上；其中，所述待封装的裸片的正面朝向所述载板，所述被动元件具有电性连接键的表面朝向所述载板。形成包封层，所述包封层至少包封所述待封装芯片和所述被动元件。
半导体封装方法结构

[实用新型]一种高可靠型高电压厚膜晶片电阻-CN201820734617.X有效
发明人：黄正信;刘复强;陈庆良;魏效振 -专利权人：丽智电子（南通）有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01C1/032 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高可靠型高电压厚膜晶片电阻，包括基板，基板的下表面两侧均设置有背面电极，基板的上表面两侧均设置有正面电极组，正面电极组包括从上往下依次堆叠的二层正面电极，在正面电极组之间的基板上表面设置有电阻阻体，电阻阻体上覆盖有第一保护层，第一保护层的上表面设置有镭射线，镭射线延伸至电阻阻体，第一保护层和镭射线上覆盖有第二保护层，第二保护层上覆盖有第三保护层，基板两端侧面上均设置有侧面电极，两侧面电极分别导通两侧的正面电极组和背面电极本实用新型将传统的单层正面电极改进为二层正面电极，此种结构可提高电阻的散热性，同时增大电阻阻体设计面积，及进行第三保护层的设计，从而可有效提高产品的工作电压，满足客户对高可靠型高电压厚膜晶片电阻的要求。
电阻正面电极阻体第一保护层厚膜晶片高电压高可靠镭射线基板本实用新型第二保护层背面电极保护层上表面二层覆盖基板上表面侧面电极工作电压基板两端传统的两侧面散热性下表面电极单层导通堆叠侧面客户延伸改进

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