[实用新型]绝缘栅双极晶体管、IPM模块及空调器有效
| 申请号： | 201721775061.0 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN207883697U | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 冯宇翔;甘弟 | 申请（专利权）人： | 芜湖美智空调设备有限公司;美的集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种绝缘栅双极晶体管、IPM模块及空调器，该绝缘栅双极晶体管包括：半导体衬底，半导体衬底具有相对设置的第一表面及第二表面；形成在半导体衬底第一表面的漂移区及有源区；以及，自漂移区背离第一表面向第二表面方向依次外延生长第一外延层和第二外延层，第一外延层为缓冲层，第二外延层为集电极区；漂移区与有源区连接，漂移区还经缓冲区与集电极区连接。本实用新型降低了绝缘栅双极晶体管的关断时间，从而降低了IGBT的关断损耗，同时由于在制作集电极区时已经制备了缓冲层，因此无需进行退火工艺，本实用新型还减小了IGBT的集电极区的制作难度。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘栅双极晶体管 漂移区 外延层 本实用新型 第一表面 集电极区 衬底 半导体 第二表面 缓冲层 空调器 源区 缓冲区 关断损耗 退火工艺 外延生长 相对设置 集电极 关断 减小 区时 制备 制作 背离 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极晶体管包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对设置的第一表面及第二表面；形成在所述半导体衬底第一表面的漂移区及有源区；以及，自所述漂移区背离所述第一表面向所述第二表面方向依次外延生长第一外延层和第二外延层，所述第一外延层为缓冲层，所述第二外延层为集电极区；所述漂移区与所述有源区连接，所述漂移区还经所述缓冲层与所述集电极区连接。
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