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[发明专利]晶体硅太阳电池二氧化硅钝化膜的制备方法-CN201510923285.0有效
发明人：邹凯;和江变;郭凯华;郭永强;李健 -专利权人： 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体硅太阳电池二氧化硅钝化膜的制备方法，包括：(1)对硅片表面进行清洗制绒和扩散制PN结处理，并去除边结和表层磷硅玻璃；(2)对经过步骤(1)处理的硅片进行第一氧化处理；(3)对经过步骤(2)处理的硅片进行第二氧化处理；(4)在经过步骤(3)处理的硅片的表面沉积至少两层折射率与厚度均不相同的氮化硅膜。本发明的制备方法应用于多晶硅电池中，既能对电池表面起到良好的钝化作，降低电池因复合造成的效率损失；又能从电池工艺端有效降低电池漏电流，提高电池抗PID能力，同时还能增强电池抗腐蚀、防潮性能，延长电池的使用寿命。
晶体太阳电池二氧化硅钝化制备方法

[实用新型]舟叉收纳装置-CN201821115910.4有效
发明人：杨国福;和江变;福新凯 -专利权人： 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种舟叉收纳装置，安装于全自动石英舟插卸片机上，包括开有至少两个孔洞的支撑板，支撑板的一侧水平固定连接于全自动石英舟插卸片机的侧面机身，另一侧向外伸出，孔洞直径大于舟叉的叉杆直径，小于所述舟叉的隔热环的直径。
孔洞收纳装置石英舟支撑板卸片本实用新型水平固定隔热环机身叉杆伸出侧面

[实用新型]低压扩散通源装置、PN结制作设备以及电池生产系统-CN201820160642.1有效
发明人：和江变;张鸿飞 -专利权人： 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本实用新型涉及光伏电池制造技术，提出一种低压扩散通源装置、PN结制作设备以及电池生产系统，低压扩散通源装置包括：源瓶、进气管、出气管。源瓶用于储存掺杂源液；进气管第一端与惰性气源连接，第二端通过源瓶的进口伸入掺杂源液的液面以下；出气管第一端与低压扩散装置连接，第二端通过源瓶的出口伸入掺杂源液的液面以上；其中，出气管与进气管上分别设置有进气阀和出气阀，且进气阀与出气阀的开关状态相同。本实用新型通过将进气阀与出气阀的开关状态保持一致，一方面，避免了源瓶长期处于负压状态，降低了源瓶损坏的事故概率；另一方面，避免了在非通源状态下，源瓶内的掺杂源在负压作用下进入低压扩散装置，导致低压扩散装置内产品报废。
源瓶掺杂源扩散装置出气阀出气管进气阀进气管本实用新型电池生产制作设备第一端扩散伸入液面开关状态保持产品报废惰性气源负压状态负压作用光伏电池开关状态事故概率储存进口出口制造

[实用新型]管式化学气相沉积仪及其炉门装置-CN201721555866.4有效
发明人：和江变;邢智龙;于洋;张国文;周聪林 -专利权人： 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型公开一种管式化学气相沉积仪及其炉门装置，炉门装置包括第一位移机构、第二位移机构以及炉门本体。第一位移机构包括第一导引件及第一滑动件。第一导引件固定于炉管且位于管口一侧，且沿垂直于管口所在平面的第一水平方向延伸。第一滑动件滑动设于第一导引件且由第一驱动件驱动。第二位移机构包括第二导引件及第二滑动件。第二导引件固定于第一滑动件，且沿垂直于第一水平方向的第二水平方向延伸。第二滑动件滑动设于第二导引件且由第二驱动件驱动。炉门本体通过炉门支架固定连接于第二滑动件，炉门本体为实心结构。
导引件滑动件位移机构炉门本体炉门装置化学气相沉积水平方向延伸驱动件滑动管口垂直本实用新型驱动炉门支架实心结构所在平面管式炉管种管

[发明专利]用于光伏晶体硅太阳电池的石墨舟的降温处理装置-CN201810045646.X在审
发明人：和江变;邢智龙;马哲明 -专利权人： 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明提出一种用于光伏晶体硅太阳电池的石墨舟的降温处理装置，包括一个箱体，所述箱体包括由不锈钢制成的主体框架、由位于下层的不锈钢板和位于上层的PVC硬板构成的顶壁以及由PVC硬板制成的侧壁和底壁，所述箱体的顶壁用于承载至少一个石墨舟，且所述顶壁上设有多个用于向石墨舟吹风的通风孔，所述箱体的底壁或者至少一个侧壁上设有进风口，所述进风口处设置有用于向箱体内供风的通风机以及对进入进风口的空气进行过滤的过滤装置，所述通风机的功率不小于150瓦。本装置通过过滤装置能够将空气中的尘埃粒子过滤掉，从而保证出风的洁净度，通过选用大功率通风机，可以保证石墨舟的降温速度，满足全自动化机器人插卸片机的速度要求。
石墨舟通风机顶壁光伏晶体硅过滤装置降温处理进风口侧壁底壁硬板过滤不锈钢板尘埃粒子进风口处全自动化速度要求主体框架洁净度通风孔出风供风下层卸片不锈钢吹风机器人承载上层保证

[发明专利]修补破损的石墨舟叶片的方法-CN201810065672.9在审
发明人：于洋;胡荣亮;和江变 -专利权人： 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明提出一种修补破损的石墨舟叶片的方法，包括：将发生破损的石墨舟的叶片卸下；在破损的叶片上设定一修补区域；沿着修补区域切割掉破损部位，利用修补工具在报废石墨舟的叶片上截取待用部分，该待用部分与切割后的待修补的部位能够拼合为一个完整叶片并装配在石墨舟，然后在夹舟装具上进行校准修复；或者，在报废石墨舟叶片上裁切补丁件，将补丁部件压盖固定在修补区域内的破损部位的裂纹的两侧，装配石墨舟，然后在夹舟装具上进行校准修改；清洗修补后的石墨舟并烘干；在修复后的石墨舟内插入假硅片，放入管式减反射薄膜沉积仪内，并运行镀膜工艺；按顺序取出假硅片，根据各位置处假硅片的减反膜情况，微调整修补部位位置。
石墨舟叶片修补破损修补区域假硅片装具破损部位校准补丁装配切割报废减反射薄膜修复部位位置镀膜工艺完整叶片修补工具微调整位置处裁切放入管式烘干截取拼合压盖沉积卸下清洗取出

[发明专利]一种N型单晶硅双面电池的制作方法-CN201611064978.X在审
发明人：和江变;邹凯;郭永强;郭凯华;马承鸿;李健;段敏 -专利权人： 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种N型单晶硅双面电池的制作方法，所采用的N型硅片衬底包括第一表面和与所述第一表面相对设置的第二表面，所述方法包括对所述硅片衬底进行表面制绒处理；对所述硅片衬底的第一表面进行硼扩散处理，制得硼掺杂层；在所述硼掺杂层形成至少一层掩膜；对所述硅片衬底的第二表面进行磷扩散处理，制得磷掺杂层；去除所述至少一层掩膜；以及分别在通过硼扩散处理的第一表面以及通过磷扩散处理的第二表面制作电极，制得所述N型单晶硅双面电池。本发明一实施方式的N型单晶硅双面电池的制作方法，工艺简单，有效地提高了电池的效率。
一种单晶硅双面电池制作方法

[实用新型]四主栅N型双面发电太阳电池-CN201620778202.3有效
发明人：和江变;邹凯;周国华;马承鸿;李健 -专利权人： 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提出一种四主栅N型双面发电太阳电池，包括N型硅片以及分别位于N型硅片正面和背面的正面电极和背面电极，正面电极和背面电极各自包括四条相互平行的主栅线、与主栅线垂直连接的横向副栅线以及与横向副栅线垂直连接的纵向副栅线；N型硅片的正面和背面各自由中心部位向外依次分为第一区域、环绕第一区域的第二区域以及环绕第二区域的第三区域，并且第一区域、第二区域和第三区域内等距设置有横向副栅线，且第一区域、第二区域和第三区域内的相邻两条横向副栅线之间的间距依次增大，使得横向副栅线的排列与N型硅片上的扩散方阻相匹配，解决了方阻不均匀导致的电池正面、背面电极电阻较大的问题，提高了光电转换效率。
四主栅双面发电太阳电池

[实用新型]扩散石英舟-CN201620628026.5有效
发明人：邹凯;和江变;周国华;马承鸿;李健 -专利权人： 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开一种扩散石英舟，其包括两块端框、至少一根底支撑杆以及多根侧固定杆；两块端框竖直设置且沿一第一水平方向间隔排列；至少一根底支撑杆水平连接于两块端框的底部之间，底支撑杆的一上表面开设有多个沿第一水平方向间隔排列的第一卡槽；多根侧固定杆包括至少一根左侧固定杆及至少一根右侧固定杆，左侧固定杆水平连接于两块端框的左侧之间；右侧固定杆水平连接于两块端框的右侧之间，侧固定杆朝向端框的一侧面开设有多个沿其延伸方向间隔排列的第二卡槽；其中，多个第一卡槽与多个第二卡槽共同界定出水平间隔分布的多个放置空间，以分别放置多块硅片。本实用新型对扩散方阻的均匀性有较大的改善，同时提高了电池片的转换效率。
扩散石英

[实用新型]扩散石英舟-CN201620628027.X有效
发明人：和江变;邹凯;周国华;马承鸿;李健 -专利权人： 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开一种扩散石英舟，该扩散石英舟包括顶板和底板、至少一根后固定杆以及多根侧支撑杆；顶板和底板上下间隔相对设置；至少一根后固定杆竖直支撑于顶板后侧与底板后侧之间，后固定杆朝向顶板的一侧面上开设有多个上下间隔分布的第一卡槽；多根侧支撑杆包括至少一根左侧支撑杆及至少一根右侧支撑杆，左侧支撑杆竖直支撑于顶板左侧与底板左侧之间；右侧支撑杆竖直支撑于顶板右侧与底板右侧之间，侧支撑杆朝向顶板的一侧面上开设有多个上下间隔分布的第二卡槽；其中，多个第一卡槽与多个第二卡槽共同界定出上下间隔分布的多个放置空间，以分别放置多块硅片。本实用新型对扩散方阻的均匀性有较大的改善，同时提高了电池片的转换效率。
扩散石英

[实用新型]晶体硅太阳电池-CN201521126946.9有效
发明人：和江变;邹凯;周国华;马承鸿;李健 -专利权人： 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提出一种晶体硅太阳电池，包括硅片以及设置在硅片正面的多条主栅线、多条横向副栅线和环绕在硅片正面边缘处的边框电极栅线，横向副栅线与主栅线相垂直，主栅线两端延伸至边框电极栅线，硅片的正面还包括多条与主栅线相平行的纵向副栅线，多条横向副栅线与多条纵向副栅线相连接。本实用新型晶体硅太阳电池，通过设置与主栅线平行的纵向副栅线，使得当横向副栅线与主栅线之间发生断栅时，横向副栅线收集的光生电流能够通过纵向副栅线先流向其他相邻的横向副栅线，再流向主栅线，减小了光生电流向主栅线传送时的电阻，并且避免了晶体硅太阳电池发生热斑的问题，提高了晶体硅太阳电池的发电效率，延长了晶体硅太阳电池的使用寿命。
晶体太阳电池

[实用新型]物理冶金多晶硅太阳电池的钝化减反射结构-CN201521011536.X有效
发明人：和江变;邹凯;郭凯华;郭永强;马承鸿;李健 -专利权人： 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型提供一种物理冶金多晶硅太阳电池的钝化减反射结构，所述钝化减反射结构包括：二氧化硅层，覆盖于所述太阳能电池的表面；第一氮化硅层，覆盖于所述二氧化硅层的上表面；第二氮化硅层，覆盖于所述第一氮化硅层的上表面；以及第三氮化硅层，覆盖于所述第二氮化硅层的上表面。本实用新型的钝化减反射结构应用于物理冶金多晶硅电池中，既能对电池表面起到良好的钝化减反射作用，提高电池少子寿命，降低电池因复合造成的效率损失；还能从电池工艺端有效降低电池漏电，同时还能增强电池抗腐蚀、防潮性能，延长电池的使用寿命。
物理冶金多晶太阳电池钝化反射结构

[实用新型]双面吸光N型晶体硅太阳电池的表面钝化结构-CN201521011280.2有效
发明人：和江变;邹凯;郭凯华;郭永强;马承鸿;李健 -专利权人： 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双面吸光N型晶体硅太阳电池的表面钝化结构，所述双面吸光N型晶体硅太阳电池具有一硅片，所述表面钝化结构包括：第一SiO₂层，覆盖于所述硅片的上表面；第一氮化硅叠层，覆盖于所述第一SiO₂层的上表面；第二SiO₂层，覆盖于所述硅片的下表面；第二氮化硅叠层，覆盖于所述第二SiO₂层的下表面，其中，所述第一氮化硅叠层和所述第二氮化硅叠层各自包含至少两层厚度与折射率均不相同的氮化硅层。本实用新型的双面吸光N型晶体硅太阳电池的表面钝化结构能够解决电池的PID隐患，提高电池的光吸收能力，同时使电池表面具有更低的表面状态密度，确保了电池具有更高的开路电压，并且增强了减反射薄膜与硅片之间的附着力。
双面晶体太阳电池表面钝化结构

[实用新型]太阳能电池片调整装置-CN201520707897.1有效
发明人：和江变;郭永强;邹凯;段敏;马承鸿;李健 -专利权人： 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： B07C5/02 文献下载
摘要：本实用新型提出一种太阳能电池片调整装置，用于调整位于滑移轨道上的太阳能电池片，包括机架；两个矫正部，设置于所述机架，两所述矫正部的相对内侧壁形成可供所述太阳能电池片通过的通道，所述通道的入口至出口的宽度逐渐缩小，所述矫正部的内侧壁固定于所述滑移轨道的两侧，以使所述太阳能电池片经过该通道时，两所述矫正部的内侧壁与太阳能电池片相接触以调整所述太阳能电池片在滑移轨道上的水平位置；下压机构，包括下压部，所述下压部能够减小所述太阳能电池片的弯曲程度。通过矫正部和下压机构能够保证对太阳能电池片的顺利测试分选，大大地降低了碎片率，并且结构简单，成本低。
太阳能电池调整装置

[发明专利]物理冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法-CN201410708186.6有效
发明人：邹凯;和江变;郭凯华;郭永强;孟德龙;宗灵仑;李健 -专利权人： 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： C30B31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种物理冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法，包括，1)将清洗制绒后的硅片进行第一恒温热处理；2)将经步骤1)处理后的硅片进行第二恒温热处理；3)将经步骤2)处理后的硅片进行氧化处理；4)向步骤3)处理后的硅片通磷源进行磷扩散处理；5)将经步骤4)处理后的硅片进行退火处理。本发明的扩散方法应用于物理冶金硅太阳电池制备中，可节约成本，提高产能，所形成的PN结，表面杂质浓度低，杂质分布均匀，扩散均匀性好，减小了死层效应，有利于电子的收集，降低了太阳能电池因复合造成的效率损失，从而提高了电池片的最终光电转换效率。
物理冶金多晶太阳能电池扩散方法

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