专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种聚酰亚胺薄膜生产检测装置-CN202310897282.9有效
  • 程楚云;侯豪情;欧阳文;侯翔宇;黄明明 - 江西先材纳米纤维科技有限公司
  • 2023-07-21 - 2023-09-15 - B65H47/00
  • 本申请公开了一种聚酰亚胺薄膜生产检测装置,涉及检测设备技术领域,包括动力组件和控制单元,还包括承载环状平台、转动盘组件、承载移位组件和展平框组件:转动盘组件包括柱状仓、泵体、输气软管、环状承载板、边缘固定在柱状仓的顶部边缘且其中心位置设有定位孔的封顶隔膜和顶面上密布有多个透气孔且固定在定位孔上的吸附柱体;展平框组件包括环形框体、环状囊体和连接体;环状囊体为橡胶材质环形弹性囊,套设且固定在环形框体上,与气泵连通,在控制单元的控制下进行涨缩;实现了聚酰亚胺薄膜生产检测装置能够自动铺平需要检测的薄膜,且平铺薄膜时不会对薄膜造成较大损伤的技术效果。
  • 一种聚酰亚胺薄膜生产检测装置
  • [发明专利]一种深沟槽超级结断面分析方法-CN202310475755.6在审
  • 徐永宝;侯翔宇;张君 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2023-04-27 - 2023-07-28 - G01N23/2251
  • 本发明提供一种深沟槽超级结断面分析方法,包括以下步骤:步骤S1:将晶圆进行裂片处理,以获得四边形的样品,所述样品具有平行设置的深沟槽;步骤S2:将所述样品的一个角插设在置于SEM机台中的样品载台中,使得所述深沟槽与所述SEM机台的拍摄方向平行;步骤S3:从所述样品远离所述样品载台的一侧上,拍摄获取所述深沟槽的填充状态。本发明通过样品载台承载样品,使得样品的深沟槽的方向与SEM机台的拍摄方向平行,可以省略复杂的磨片制备流程,直接对裂片进行观测,可进一步提高FA量测的准确性和时效性,对提高FA工作效率及外延填充线上监控的及时性和准确性具有非常重要的意义。
  • 一种深沟超级断面分析方法
  • [发明专利]聚酰亚胺复合絮片及其制备方法-CN202310429504.4在审
  • 侯豪情;欧阳文;程楚云;侯翔宇;黄明明 - 江西先材纳米纤维科技有限公司
  • 2023-04-20 - 2023-07-21 - D06M15/564
  • 本发明涉及聚酰亚胺复合絮片及其制备方法。所述方法包括以下步骤:(1)准备聚酰亚胺纳米纤维膜;(2)准备聚酰亚胺泡沫前驱体溶液,然后用低沸点有机溶剂稀释所述聚酰亚胺泡沫前驱体溶液,得到第一溶液;(3)用低沸点有机溶剂稀释异氰酸酯,得到第二溶液;(4)将所述聚酰亚胺纳米纤维膜分别浸泡于所述第一溶液和所述第二溶液中,然后取出,使容纳在浸泡后的聚酰亚胺纳米纤维膜中的所述第一溶液和所述第二溶液发生自由发泡反应,得到聚酰亚胺复合絮片中间体;(5)将所述聚酰亚胺复合絮片中间体进行热定型固化处理,得到聚酰亚胺复合絮片。所述复合絮片包含作为基体的聚酰亚胺纳米纤维和作为填充物的聚酰亚胺泡沫,具有良好的保暖性、压缩性和回弹性。
  • 聚酰亚胺复合及其制备方法
  • [发明专利]聚酰亚胺纳米纤维絮片及其制备方法-CN202310398397.3在审
  • 侯豪情;欧阳文;程楚云;侯翔宇 - 江西先材纳米纤维科技有限公司
  • 2023-04-14 - 2023-06-06 - D04H1/02
  • 本发明涉及聚酰亚胺纳米纤维絮片及其制备方法。所述方法包括以下步骤:(1)采用二胺和二酐单体来合成热熔型聚酰胺酸纺丝液A;(2)采用二胺和二酐单体来合成部分熔融型聚酰胺酸纺丝液B;(3)对所述纺丝液A和所述纺丝液B进行静电纺丝以形成聚酰胺酸复合纳米纤维膜;(4)将所述聚酰胺酸复合纳米纤维膜放置于两张绝缘纤维网之间,使用带静电的热风使其开松,从而得到蓬松状聚酰胺酸纳米纤维絮片;(5)将所述蓬松状聚酰胺酸纳米纤维絮片进行热亚胺化处理,得到具有多层结构的聚酰亚胺纳米纤维絮片。所述方法工艺简单,避免依赖环境湿度。所述絮片具有优异的防风效果、保暖性能、压缩性和回弹性等。
  • 聚酰亚胺纳米纤维及其制备方法
  • [发明专利]监控深沟槽超级结MOSFET产品外延填充速率的方法-CN202211083480.3在审
  • 徐永宝;侯翔宇;汪美林 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-09-06 - 2022-12-20 - H01L21/66
  • 本发明公开了一种监控深沟槽超级结MOSFET产品外延填充速率的方法,其包括以下步骤:深沟槽超级结MOSFET产品使用(100)晶相硅基片,在外延填充前通过CD量测机台量测特定测试单元位置的第一特征尺寸;根据特定测试单元坐标,计算出特定测试单元距外延片中心的物理半径;进行外延填充,外延填充后通过CD量测机台测试出特定测试单元位置的第二特征尺寸,可得外延过填部分高度;根据计算出的特定测试单元距外延片中心的物理半径和外延过填部分高度作图,得到特定测试单元距外延片中心的物理半径和外延过填部分高度之间的关系。本发明可以定量、直观的描述深沟槽超级结MOSFET产品的外延填充速率,还可监控产品面内不同位置的外延填充速率。
  • 监控深沟超级mosfet产品外延填充速率方法
  • [发明专利]外延工艺的模拟方法-CN202211203201.2在审
  • 李伟叶;侯翔宇;杨继业;李昊;陆怡;康志潇;张博;刑军军 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-09-29 - 2022-11-29 - G06F30/347
  • 一种外延工艺的模拟方法,包括:获取待模拟外延工艺,所述待模拟外延工艺包括若干待模拟外延阶段,各待模拟外延阶段具有对应的初始外延时间速率关系模型;获取若干组外延工艺参数,各外延工艺参数包括外延速率和外延时间;根据至少一组外延工艺参数中的外延速率和外延时间对任一所述待模拟外延阶段的初始外延时间速率关系模型进行拟合,获取所述待模拟外延阶段对应的参考外延时间速率关系模型;根据所述若干待模拟外延阶段对应的参考外延时间速率关系模型,获取所述待模拟外延工艺的模拟外延填充量。所述外延工艺的模拟方法改善了深沟槽填充工艺的调整方式,简化了填充工艺的调整步骤,缩短了工艺调整时间,提升了工艺调整效率。
  • 外延工艺模拟方法
  • [发明专利]调整外延生长均一性的方法-CN202210215304.4在审
  • 李伟叶;侯翔宇;李昊 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-03-07 - 2022-07-22 - H01L21/205
  • 本发明公开了一种调整外延生长均一性的方法,其包括以下步骤:步骤一、对工艺腔体进行吹扫,排除前面工艺气体残留,同时工艺腔体开始升温;步骤二、工艺腔体通入载气及刻蚀气体,利用高温除去硅片自然氧化层,并对硅片表面进行光滑处理;步骤三、待温度降低至典型工艺温度,通入Slit氢气、硅源气体、刻蚀气体及掺杂源气体;步骤四、EPI生长结束,对工艺腔体降温及清理,工艺过程结束。本发明具有较好的生长均一性,可以减小或者消除化学机械研磨后局部过磨或者残留问题。
  • 调整外延生长均一方法
  • [发明专利]沟槽的外延填充方法-CN202010326164.9有效
  • 李昊;侯翔宇;杨继业;管子豪;赵龙杰;陆怡;邢军军 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2020-04-23 - 2022-06-21 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种沟槽的外延填充方法,包括:步骤一、在半导体衬底表面形成硬质掩膜层;步骤二、光刻定义出沟槽的形成区域并对硬质掩膜层进行刻蚀;步骤三、以硬质掩膜层为掩膜对半导体衬底进行刻蚀形成所述沟槽;步骤四、将各平台区域的硬质掩膜层的横向尺寸从两侧向中间横向缩小;步骤五、选择性外延生长第一外延层将所述沟槽完全填充,通过步骤四中将硬质掩膜层的横向尺寸缩小减少台阶外延层的应力并减少或消除应力缺陷。本发明能台阶外延层的应力以及由应力产生的缺陷,能增加工艺窗口,利于器件尺寸缩小,能减少填充难度,增加产能。
  • 沟槽外延填充方法
  • [发明专利]沟槽栅的制造方法-CN202010867049.2有效
  • 李昊;陆怡;侯翔宇 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2020-08-26 - 2022-06-21 - H01L21/28
  • 本发明公开了一种沟槽栅的制造方法,包括步骤:步骤一、进行刻蚀形成栅极沟槽;步骤二、采用在HCl气氛下对硅衬底进行烘烤的方法对栅极沟槽进行圆化;Cl‑离子的刻蚀作用产生的硅消耗效应对栅极沟槽的顶部开口宽度的影响大于H+离子的圆化作用产生的硅堆积效应对栅极沟槽的顶部开口宽度的影响,使栅极沟槽的顶部开口的宽度满足在后续步骤四中能实现无缝填充;步骤三、在栅极沟槽的内侧表面形成栅氧化层;步骤四、在栅极沟槽中无缝填充多晶硅栅。本发明能减少栅极沟槽圆化的热预算同时能实现栅极沟槽的无缝隙填充。
  • 沟槽制造方法

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