[实用新型]发光二极管有效
申请号: | 201721327854.6 | 申请日: | 2017-10-16 |
公开(公告)号: | CN207542268U | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 王锋;詹宇;栗伟;林素慧;洪灵愿;许圣贤;彭康伟;张家宏 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/36;H01L33/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种发光二极管,其包括:发光外延层,自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层,其上表面设有第一电极区,其包含焊盘区和扩展区;透明导电层,形成于所述发光外延层的第一半导体层的表面之上;保护层,形成于所述透明导电层的表面上,在所述焊盘区的周围形成一系列的第一开口,在扩展区形成第二开口,露出所述透明导电层的表面;第一电极,形成于所述保护层上,包含焊盘、扩展条和触角,所述触角两端分别连接焊盘和第一开口,所述扩展条通过第二开口与所述透明导电层连接。 | ||
搜索关键词: | 透明导电层 半导体层 开口 发光二极管 发光外延层 第一电极 保护层 焊盘区 扩展区 触角 本实用新型 连接焊盘 发光层 上表面 焊盘 | ||
【主权项】:
1.发光二极管,包括:发光外延层,自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层,其上表面设有第一电极区,其包含焊盘区和扩展区;透明导电层,形成于所述发光外延层的第一半导体层的表面之上;保护层,形成于所述透明导电层的表面上,在所述焊盘区的周围形成一系列的第一开口,在扩展区形成第二开口,露出所述透明导电层的表面;第一电极,形成于所述保护层上,包含焊盘、扩展条和触角,所述触角两端分别连接焊盘和第一开口,所述扩展条通过第二开口与所述透明导电层连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安光电科技有限公司,未经厦门市三安光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201721327854.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种太阳能自动划片装置
- 下一篇:一种偏振相关超辐射发光二极管芯片