[实用新型]半导体存储器有效
| 申请号： | 201721287711.7 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN207265048U | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体存储器，包括基底以及设置于基底上的多个电容器，所述电容器包含下电极层、介电层及上电极层，其中，所述介电层及所述上电极层依序形成于所述下电极层的内外表面，所述下电极层的外表面具有电容图案孔和电容轮廓孔的组合外形，所述下电极层具有靠近所述基底的第一部分和远离所述基底的第二部分，所述第二部分对应所述电容图案孔并具有第一斜度，所述第一部分对应所述电容轮廓孔并具有第二斜度，所述第二斜度小于所述第一斜度，所述半导体存储器中的电容器轮廓较垂直化，由此避免了电容器之间短路现象的发生，提高最终形成的半导体存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器，其特征在于，包括：一基底；以及多个电容器，设置于所述基底上，所述电容器包含下电极层、介电层及上电极层，其中，所述介电层及所述上电极层依序形成于所述下电极层的内外表面，所述下电极层的外表面具有电容图案孔和电容轮廓孔的组合外形，所述下电极层具有靠近所述基底的第一部分和远离所述基底的第二部分，所述第二部分对应所述电容图案孔并具有第一斜度，所述第一部分对应所述电容轮廓孔并具有第二斜度，所述第二斜度小于所述第一斜度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于睿力集成电路有限公司，未经睿力集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721287711.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种铅蓄电池全自动压网片装置
- 下一篇：并联式电力模块、电力装置及电力系统
