[实用新型]互补型TFET

摘要

本实用新型涉及一种互补型TFET100，包括：Si衬底101；Ge外延层102，设置于衬底101上表面；GeSn层103，设置于Ge外延层102上表面；P型基底104、N型基底105，设置于GeSn层103内；第一源区106、第一漏区107，设置于P型基底104内并位于两侧位置处；第二源区108、第二漏区109，设置于N型基底105内并位于两侧位置处；第一源区电极110，设置于第一源区106上表面；第一漏区电极111，设置于第一漏区107上表面；第二源区电极112，设置于第二源区108上表面；第二漏区电极113，设置于第二漏区109上表面。本实用新型提供的互补型TFET，可有效降低Ge外延层的位错密度、表面粗糙度、界面缺陷，提升Ge外延层的质量从而得到更高质量的GeSn外延层，为高性能TFET的制备提供物质基础。

主权项

1.一种互补型TFET(100)，其特征在于，包括：Si衬底(101)；Ge外延层(102)，设置于所述衬底(101)上表面；GeSn层(103)，设置于所述Ge外延层(102)上表面；P型基底(104)、N型基底(105)，设置于所述GeSn层(103)内；第一源区(106)、第一漏区(107)，设置于所述P型基底(104)内并位于两侧位置处；第二源区(108)、第二漏区(109)，设置于所述N型基底(105)内并位于两侧位置处；第一源区电极(110)，设置于所述第一源区(106)上表面；第一漏区电极(111)，设置于所述第一漏区(107)上表面；第二源区电极(112)，设置于所述第二源区(108)上表面；第二漏区电极(113)，设置于所述第二漏区(109)上表面。