[实用新型]超结金属氧化物半导体场效晶体管有效
| 申请号： | 201720808516.8 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN207233743U | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 金荣锡;金范锡 | 申请（专利权）人： | DBHiTek株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙)31239 | 代理人： | 余文娟 |
| 地址： | 韩国首尔*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 超结金属氧化物半导体场效晶体管包括具有第一导电类型的衬底；在衬底上形成的外延层，该外延层具有第一导电类型；在外延层中沿垂直方向延伸的柱，该柱彼此分隔开；第二导电类型的第一阱，其在外延层中形成以延伸至外延层的上表面，每个第一阱连接至每个柱的上部；第一导电类型的第二阱，其在第一阱中形成；和在外延层上形成的多个栅极结构，每个栅极结构沿第一方向延伸以具有条形形状，使得栅极结构彼此分隔开。因此，栅极结构具有相对小的面积以减小超结金属氧化物半导体场效晶体管的输入电容。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
超结金属氧化物半导体场效晶体管，包括：衬底，其具有第一导电类型；外延层，其在所述衬底上形成，所述外延层具有所述第一导电类型；多个柱，其在所述外延层中沿垂直方向延伸，所述柱彼此分隔开；多个第一阱，其具有第二导电类型，在所述外延层中形成以延伸至所述外延层的上表面，每个所述第一阱分别连接至所述柱的上部；多个第二阱，其具有第一导电类型，在所述第一阱中形成；和多个栅极结构，其在所述外延层上形成，每个所述栅极结构沿第一方向延伸以具有条形形状，使得所述栅极结构彼此分隔开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于DBHiTek株式会社，未经DBHiTek株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720808516.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：针对OFDMA的带宽依赖性载波侦听
- 下一篇：共享通信介质上的基于争用的共存
- 同类专利
- 专利分类
