[实用新型]超结金属氧化物半导体场效晶体管

权利要求书

1.超结金属氧化物半导体场效晶体管，包括：

衬底，其具有第一导电类型；

外延层，其在所述衬底上形成，所述外延层具有所述第一导电类型；

多个柱，其在所述外延层中沿垂直方向延伸，所述柱彼此分隔开；

多个第一阱，其具有第二导电类型，在所述外延层中形成以延伸至所述外延层的上表面，每个所述第一阱分别连接至所述柱的上部；

多个第二阱，其具有第一导电类型，在所述第一阱中形成；和

多个栅极结构，其在所述外延层上形成，每个所述栅极结构沿第一方向延伸以具有条形形状，使得所述栅极结构彼此分隔开。

2.如权利要求1中所述的超结金属氧化物半导体场效晶体管，其中每个所述柱具有六边形且所述柱沿所述第一方向设置呈蛇形。

3.如权利要求2中所述的超结金属氧化物半导体场效晶体管，其中当从平面图来看时，每个所述栅极结构在所述柱之间延伸。

4.如权利要求1中所述的超结金属氧化物半导体场效晶体管，其中每个所述柱具有六边形形状且所述柱沿与所述第一方向垂直的第二方向设置呈蛇形。

5.如权利要求4中所述的超结金属氧化物半导体场效晶体管，当从平面图来看时，其中每个所述栅极结构在第一行中某些所述柱之间延伸，且在与所述第一行相邻的第二行中的其他所述柱之上延伸。

6.如权利要求4中所述的超结金属氧化物半导体场效晶体管，其中所述某些所述柱在所述外延层中形成，且与所述第一阱和所述栅极结构分隔开。

7.如权利要求1中所述的超结金属氧化物半导体场效晶体管，其中每个所述柱具有六边形、圆形和矩形截面形状中的一种。

8.如权利要求1中所述的超结金属氧化物半导体场效晶体管，其中每个所述栅极结构包括：

栅极绝缘层，其在所述外延层上形成；

栅电极，其在所述栅极绝缘层上形成；和

绝缘夹层，其围绕所述栅电极。

9.如权利要求1中所述的超结金属氧化物半导体场效晶体管，其中每一所述栅极结构具有沟槽结构。