[发明专利]半导体存储器结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器结构及其制备方法，半导体存储器结构包括半导体基底、电容触点、在电容触点侧面的侧壁隔离层及电容触点上方的电容器阵列；电容器阵列包括复数个电容器，电容器由内向外包括下电极层、电容介质及上电极层；其中，下电极层具有位于金属栓塞上的主体部及连接主体部且往半导体基底延伸的延伸部，延伸部延伸至侧壁隔离层内并与金属栓塞的侧壁接触。可利用金属与二氧化硅的刻蚀比不同和光刻工艺的对位不匹配，在半导体基底的例如二氧化硅材质的侧壁隔离层中形成凹槽，在凹槽中形成延伸部，增加了下电极层和金属栓塞的接触面积，降低了电容结构与金属栓塞的接触电阻，优化了动态随机存取存储器的元件特性。

主权项

1.一种半导体存储器结构，其特征在于，所述半导体存储器结构至少包括：半导体基底、位于所述半导体基底上表面的位线隔离层和电容触点，以及位于所述位线隔离层和电容触点上表面的电容器阵列；所述电容触点与所述位线隔离层之间设置有侧壁隔离层，所述侧壁隔离层中形成有凹槽，所述凹槽的一侧壁包含所述电容触点的侧壁；所述电容器阵列包括复数个第一电容器，所述第一电容器包括第一下电极层、第一电容介质及第一上电极层；其中，所述第一下电极层具有主体部及由所述主体部的底部延伸的延伸部，所述主体部的底部接合于对应的所述电容触点的上表面，所述延伸部填入至所述凹槽内，且所述延伸部与所述电容触点的侧壁接合；所述第一电容介质位于所述第一下电极层的内表面及外表面；所述第一上电极层位于所述第一电容介质的表面。