[发明专利]功率半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201711450430.3 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108321191A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 闻永祥;顾悦吉;葛俊山;孙文良;陈果 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;范芳茗 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在半导体衬底的第一表面形成正面结构，所述正面结构包括阱区和发射区，所述发射区位于所述阱区中；从所述半导体衬底的第二表面对所述半导体衬底进行减薄，所述第二表面与所述第一表面彼此相对；对所述半导体衬底的第二表面进行激光处理；以及在所述半导体衬底的第二表面形成缓冲区和集电区，所述集电区从所述第二表面延伸至与所述缓冲区邻接。该方法在形成缓冲区之前，对半导体衬底的第二表面进行激光处理，从而减小随后形成的缓冲区中的含氧量，进一步减小缺陷密度，从而提高击穿电压和减小漏电流，以及降低器件成本。 | ||
| 搜索关键词： | 第二表面 衬底 半导体 缓冲区 减小 功率半导体器件 第一表面 激光处理 正面结构 发射区 集电区 阱区 彼此相对 击穿电压 降低器件 含氧量 邻接 漏电流 减薄 制造 延伸 申请 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造功率半导体器件的方法，包括：在半导体衬底的第一表面形成正面结构，所述正面结构包括阱区和发射区，所述发射区位于所述阱区中；从所述半导体衬底的第二表面对所述半导体衬底进行减薄，所述第二表面与所述第一表面彼此相对；对所述半导体衬底的第二表面进行激光处理；以及在所述半导体衬底的第二表面形成缓冲区和集电区，所述集电区从所述第二表面延伸至与所述缓冲区邻接，其中，所述半导体衬底形成所述功率半导体器件的漂移区，所述漂移区、所述发射区和所述缓冲区为第一掺杂类型，所述阱区和所述集电区为第二掺杂类型，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型彼此相反。
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