[发明专利]封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201711433328.2 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109962038A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 钟育华;杨孟融;陈彦儒;王泰瑞 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;创智智权管理顾问股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种封装结构及其形成方法。此封装结构包括形成于基板上的图案化的重新分配层。此封装结构也包括形成于图案化的重新分配层上的管芯及底部填充物层。底部填充物层直接接触图案化的重新分配层与管芯。此封装结构也包括由缓冲材料所形成的缓冲层。缓冲层形成于基板上且直接接触图案化的重新分配层的侧壁。此封装结构也包括由模制化合物材料所形成的模制化合物层。模制化合物层形成于底部填充物层、管芯及缓冲层上。模制化合物材料的杨氏系数大于缓冲材料的杨氏系数。 | ||
| 搜索关键词： | 封装结构 重新分配层 图案化 底部填充物 缓冲层 管芯 模制化合物层 模制化合物 缓冲材料 杨氏系数 基板 侧壁 | ||
【主权项】：
1.一种封装结构，其特征在于，包括：图案化的重新分配层，形成于一基板上；管芯，形成于该图案化的重新分配层上；底部填充物层，形成于该图案化的重新分配层上，其中该底部填充物层直接接触该图案化的重新分配层与该管芯；缓冲层，形成于该基板上且直接接触该图案化的重新分配层的一侧壁，其中该缓冲层由一缓冲材料所形成；以及模制化合物层，形成于该底部填充物层及该管芯上，且该模制化合物层由一模制化合物材料所形成，其中该模制化合物材料的杨氏系数大于该缓冲材料的杨氏系数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院;创智智权管理顾问股份有限公司，未经财团法人工业技术研究院;创智智权管理顾问股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711433328.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：采用不连续边界结构的半导体基板
- 下一篇：一种半导体器件及电子装置
