[发明专利]封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

图案化的重新分配层，形成于一基板上；

管芯，形成于该图案化的重新分配层上；

底部填充物层，形成于该图案化的重新分配层上，其中该底部填充物层直接接触该图案化的重新分配层与该管芯；

缓冲层，形成于该基板上且直接接触该图案化的重新分配层的一侧壁，其中该缓冲层由一缓冲材料所形成；以及

模制化合物层，形成于该底部填充物层及该管芯上，且该模制化合物层由一模制化合物材料所形成，其中该模制化合物材料的杨氏系数大于该缓冲材料的杨氏系数。

2.如权利要求1所述的封装结构，还包括：

导电柱，形成于该基板上，其中该导电柱并未直接接触该图案化的重新分配层，且该导电柱与该缓冲层的一侧壁直接接触；以及

焊料凸块，形成于该基板的一开口中且与该导电柱接触。

3.如权利要求1所述的封装结构，其中该缓冲材料的杨氏系数为1.5～4GPa，且缓冲材料的热膨胀系数为30～70ppm/℃。

4.如权利要求1所述的封装结构，其中该缓冲材料的热膨胀系数大于该模制化合物材料的热膨胀系数。

5.如权利要求2所述的封装结构，其中该缓冲层的高度大于或等于该图案化的重新分配层的高度与该管芯的高度总和。

6.如权利要求2所述的封装结构，其中该导电柱的高度小于或等于该缓冲层的高度。

7.如权利要求2所述的封装结构，其中该模制化合物层的一顶表面、该缓冲层的一顶表面及该导电柱的一顶表面共平面。

8.如权利要求2所述的封装结构，其中该模制化合物层覆盖该缓冲层的一顶表面且具有一开口，其中该开口暴露该导电柱的一顶表面。

9.如权利要求1所述的封装结构，其中该底部填充物层由一底部填充物材料所形成，且其中该底部填充物层的材料、该模制化合物层的材料与该缓冲层的材料彼此互不相同。

10.如权利要求9所述的封装结构，其中该底部填充物材料相同于该模制化合物材料。

11.如权利要求1所述的封装结构，其中该图案化的重新分配层包括一开口，且该缓冲材料的一部分填入该图案化的重新分配层的该开口中，而形成一缓冲区。

12.如权利要求1或11所述的封装结构，其中该底部填充物层的一顶表面与该管芯的一顶表面共平面。

13.一种封装结构，其特征在于，包括：

图案化的重新分配层，形成于一基板上；

管芯，形成于该图案化的重新分配层上；

底部填充物层，形成于该图案化的重新分配层上，其中该底部填充物层直接接触该图案化的重新分配层与该管芯；

静电防护环，包围该图案化的重新分配层，且该静电防护环的一侧壁直接接触该图案化的重新分配层的一侧壁；

缓冲层，形成于该基板上且包围该静电防护环，其中该缓冲层由一缓冲材料所形成；以及

模制化合物层，形成于该底部填充物层、该管芯及该缓冲层上，且该模制化合物层由一模制化合物材料所形成，其中该模制化合物材料的杨氏系数大于该缓冲材料的杨氏系数。

14.如权利要求13所述的封装结构，其中

该图案化的重新分配层包括一开口，且该缓冲材料的一部分填入该图案化的重新分配层的该开口中，而形成一缓冲区；以及

该底部填充物层的该顶表面与该管芯的一顶表面共平面。