[发明专利]封装结构及其形成方法

说明书

本发明公开一种封装结构及其形成方法。此封装结构包括形成于基板上的图案化的重新分配层。此封装结构也包括形成于图案化的重新分配层上的管芯及底部填充物层。底部填充物层直接接触图案化的重新分配层与管芯。此封装结构也包括由缓冲材料所形成的缓冲层。缓冲层形成于基板上且直接接触图案化的重新分配层的侧壁。此封装结构也包括由模制化合物材料所形成的模制化合物层。模制化合物层形成于底部填充物层、管芯及缓冲层上。模制化合物材料的杨氏系数大于缓冲材料的杨氏系数。

技术领域

本发明涉及一种封装结构，还涉及一种具有缓冲层的封装结构及其形成方法。

背景技术

随着可携式多媒体电子产品及穿戴式电子装置的蓬勃发展，封装技术朝向更高的元件集成度、更快的信号处理速度及超薄化的方向发展。

然而，由于封装结构中所使用的各种不同的材料具有不同的热膨胀系数，当制造或使用具有此封装结构的电子装置时，因为热能所产生的热应力将可能造成封装结构的翘曲，甚至是电子装置的失效。这样的技术问题在薄型化的封装结构变得更加严重。

因此，为了进一步提升薄型化电子装置的良率、可靠度、效能稳定性与产品生命周期，仍有需要对封装结构进行改良。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种封装结构，包括：图案化的重新分配层，形成于基板上；管芯，形成于图案化的重新分配层上；底部填充物层，形成于图案化的重新分配层上，其中底部填充物层直接接触图案化的重新分配层与管芯；缓冲层，形成于基板上且直接接触图案化的重新分配层的侧壁，其中缓冲层由缓冲材料所形成；以及模制化合物层，形成于底部填充物层、管芯及缓冲层上，且模制化合物层由模制化合物材料所形成，其中模制化合物材料的杨氏系数大于缓冲材料的杨氏系数。

本发明另提供一种封装结构，包括：图案化的重新分配层，形成于基板上；管芯，形成于图案化的重新分配层上；底部填充物层，形成于图案化的重新分配层上，其中底部填充物层直接接触图案化的重新分配层与管芯；静电防护环，包围图案化的重新分配层，且静电防护环的侧壁直接接触图案化的重新分配层的侧壁；缓冲层，形成于基板上且包围静电防护环，其中缓冲层由缓冲材料所形成；以及模制化合物层，形成于底部填充物层、管芯及缓冲层上，且模制化合物层由模制化合物材料所形成，其中模制化合物材料的杨氏系数大于缓冲材料的杨氏系数。

本发明另提供一种封装结构的形成方法，包括：形成图案化的重新分配层于基板上；形成管芯于图案化的重新分配层上；形成底部填充物层于图案化的重新分配层上，其中底部填充物层直接接触图案化的重新分配层与管芯；在形成图案化的重新分配层之后，形成缓冲层于基板上且直接接触图案化的重新分配层的侧壁，其中缓冲层由缓冲材料所形成；以及形成模制化合物层于底部填充物层、管芯及缓冲层上，且模制化合物层由模制化合物材料所形成，其中模制化合物材料的杨氏系数大于缓冲材料的杨氏系数。

本发明又提供一种封装结构的形成方法，包括：形成图案化的重新分配层于基板上；形成管芯于图案化的重新分配层上；形成底部填充物层于图案化的重新分配层上，其中底部填充物层直接接触图案化的重新分配层与管芯；在形成图案化的重新分配层之后，形成导电柱于基板上，其中导电柱并未直接接触图案化的重新分配层；形成静电防护环，包围图案化的重新分配层，且静电防护环的侧壁直接接触图案化的重新分配层的侧壁；形成缓冲层于基板上且包围静电防护环，其中该缓冲层接触该导电柱的一侧壁且该缓冲层由缓冲材料所形成；以及形成模制化合物层于底部填充物层、管芯及缓冲层上，且模制化合物层由模制化合物材料所形成，其中模制化合物材料的杨氏系数大于缓冲材料的杨氏系数。

为让本发明能更明显易懂，下文特举出优选实施例，作详细说明如下：

附图说明

图1A至图1G为本发明的一些实施例的封装结构的制作工艺剖面示意图；

图2为图1G的封装结构的上视示意图；