[发明专利]芯片封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201711431906.9 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108695265A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 郑惟元;李正中;郑少斐;陈文龙 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;创智智权管理顾问股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种芯片封装结构及其制造方法。上述芯片封装结构包括设置在芯片周围的框架、填入于芯片和框架之间空隙的填充材以及覆盖于芯片、框架和填充材之上的保护层。其中填充材的杨氏模数分别小于芯片的杨氏模数、框架的杨氏模数和保护层的杨氏模数。 | ||
| 搜索关键词： | 杨氏模数 芯片封装结构 芯片 填充 保护层 填入 制造 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种芯片封装结构，其特征在于，该芯片封装结构包括：重布线路层，其中该重布线路层具有一上表面；芯片，设置于该重布线路层的该上表面上并电连接该重布线路层；框架，设置于该重布线路层的该上表面上且环绕该芯片；填充材，设置于该重布线路层的该上表面上且位于该框架和该芯片之间；以及保护层，覆盖于该芯片、该框架和该填充材之上，其中该填充材的杨氏模数分别小于该芯片、该框架和该保护层的杨氏模数，且该填充材的填充厚度至少为该保护层厚度的1.5倍。
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