[发明专利]芯片封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201711431906.9 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108695265A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 郑惟元;李正中;郑少斐;陈文龙 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;创智智权管理顾问股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 杨氏模数 芯片封装结构 芯片 填充 保护层 填入 制造 覆盖 | ||
1.一种芯片封装结构，其特征在于，该芯片封装结构包括：
重布线路层，其中该重布线路层具有一上表面；
芯片，设置于该重布线路层的该上表面上并电连接该重布线路层；
框架，设置于该重布线路层的该上表面上且环绕该芯片；
填充材，设置于该重布线路层的该上表面上且位于该框架和该芯片之间；以及
保护层，覆盖于该芯片、该框架和该填充材之上，其中该填充材的杨氏模数分别小于该芯片、该框架和该保护层的杨氏模数，且该填充材的填充厚度至少为该保护层厚度的1.5倍。
2.一种芯片封装结构，其特征在于，该芯片封装结构包括：
重布线路层，其中该重布线路层具有一上表面；
芯片，设置于该重布线路层的该上表面上并电连接该重布线路层；
框架，设置于该重布线路层的该上表面上且环绕该芯片；
填充材，设置于该重布线路层的该上表面上且位于该框架和该芯片之间，其中填充材的黏度在25℃时为2,000～20,000mPa·s；以及
保护层，覆盖于该芯片、该框架和该填充材之上，其中该填充材的杨氏模数分别小于该芯片、该框架和该保护层的杨氏模数。
3.如权利要求2所述的芯片封装结构，其中该填充材的填充厚度至少为该保护层厚度的1.5倍。
4.如权利要求1或2所述的芯片封装结构，其中该填充材的热膨胀系数小于30ppm/℃。
5.如权利要求1或2所述的芯片封装结构，其中该填充材上表面的高度低于或等于该芯片上表面的高度。
6.如权利要求1或2所述的芯片封装结构，其中该填充材的热膨胀系数小于该框架与该保护层的热膨胀系数。
7.如权利要求1或2所述的芯片封装结构，其中该填充材包括位于该芯片底表面至该重布线路层的该上表面之间的第一填充材，和位于该芯片侧面至该框架之间的第二填充材。
8.如权利要求7所述的芯片封装结构，其中该第一填充材的流动性大于或等于该第二填充材的流动性。
9.如权利要求7所述的芯片封装结构，其中该第一填充材的粘度小于或等于该第二填充材的黏度。
10.如权利要求1或2所述的芯片封装结构，其中该保护层的材料包括金属、陶瓷或热固性环氧树脂。
11.如权利要求1或2所述的芯片封装结构，其中该框架的材料包括金属、陶瓷或热固性环氧树脂。
12.一种芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该芯片封装结构的制造方法包括：
形成一重布线路层；
接合多个芯片于该重布线路层上；
形成多个框架于该重布线路层上并分别环绕至少该些芯片之一；
填入填充材至该些框架与该些芯片间的空隙中；
形成保护层于该些芯片、该些框架和该填充材上，其中该填充材的杨氏模数分别小于该些芯片、该些框架和该保护层的杨氏模数；以及
进行单体化制作工艺。
13.如权利要求12所述的制造方法，其中该填充材的填充厚度至少为该保护层厚度的1.5倍。
14.如权利要求12所述的制造方法，其中该填充材的热膨胀系数小于30ppm/℃。
15.如权利要求12所述的制造方法，其中该填充材上表面的高度低于或等于该芯片上表面的高度。
16.如权利要求12所述的制造方法，其中该填充材的热膨胀系数小于该些框架与该保护层的热膨胀系数。
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