[发明专利]一种包含介质层的p型栅HEMT器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201711405795.4 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108155099A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 徐宁;郝荣晖;付凯;于国浩;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种包含介质层的p型栅HEMT器件及其制作方法。所述HEMT器件包括：异质结，其包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且异质结中形成有二维电子气；第三半导体，其位于栅下区域并能够将异质结内分布于栅下区域的二维电子气耗尽；第四半导体，其分布于栅极与漏极之间以及栅极与源极之间；介质层，其由绝缘材料组成，并分布于异质结和栅极之间；源极、漏极以及栅极，源极与漏极能够通过所述二维电子气电连接。本发明在HEMT器件的栅极下方引入介质层，可以显著减小栅极漏电和提高栅极正向最大安全工作电压，增大阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 介质层 异质结 二维电子气 漏极 源极 下区域 安全工作电压 漏电 绝缘材料 阈值电压 电连接 带隙 减小 正向 耗尽 制作 引入 | ||
【主权项】：
一种包含介质层的p型栅HEMT器件，其特征在于包括：异质结，其包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且所述异质结中形成有二维电子气；第三半导体，其位于栅下区域并能够将所述异质结内分布于栅下区域的二维电子气耗尽；第四半导体，其分布于栅极与漏极之间以及栅极与源极之间；介质层，其由绝缘材料组成，并分布于所述异质结和栅极之间；源极、漏极以及栅极，其中栅极位于源极与漏极之间，源极与漏极能够通过所述二维电子气电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
