[发明专利]一种氧化硅全包封LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201711400347.5 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108110094A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 王良臣;周智斌;苗振林;季辉;许亚兵 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/54 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化硅全包封LED芯片及其制备方法，氧化硅全包封LED芯片，包括：LED芯片本体、氧化硅层和封装胶；LED芯片本体，包括：衬底层、外延层、N电极和P电极；外延层位于衬底层的一侧，氧化硅层覆盖衬底面，衬底面为衬底层远离外延层一侧的表面；封装胶覆盖氧化硅层远离衬底层一侧的表面、氧化硅层的侧面、衬底层的侧面和外延层的侧面。本发明通过在封装胶和LED芯片本体之间设置氧化硅层，提高了封装胶与LED芯片本体之间的结合力。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化硅层 衬底层 封装胶 外延层 全包封 氧化硅 衬底面 侧面 制备 结合力 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种氧化硅全包封LED芯片，其特征在于，包括：LED芯片本体、氧化硅层和封装胶；所述LED芯片本体，包括：衬底层、外延层、N电极和P电极；所述外延层位于所述衬底层的一侧，所述氧化硅层覆盖衬底面，所述衬底面为所述衬底层远离所述外延层一侧的表面；所述封装胶覆盖所述氧化硅层远离所述衬底层一侧的表面、所述氧化硅层的侧面、所述衬底层的侧面和所述外延层的侧面。
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