[发明专利]一种氧化硅全包封LED芯片及其制备方法

说明书

本发明公开了一种氧化硅全包封LED芯片及其制备方法，氧化硅全包封LED芯片，包括：LED芯片本体、氧化硅层和封装胶；LED芯片本体，包括：衬底层、外延层、N电极和P电极；外延层位于衬底层的一侧，氧化硅层覆盖衬底面，衬底面为衬底层远离外延层一侧的表面；封装胶覆盖氧化硅层远离衬底层一侧的表面、氧化硅层的侧面、衬底层的侧面和外延层的侧面。本发明通过在封装胶和LED芯片本体之间设置氧化硅层，提高了封装胶与LED芯片本体之间的结合力。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种氧化硅全包封LED芯片及其制备方法。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)是一种将电能转化为光能的半导体电子器件。倒装结构LED的无基板芯片级封装(Chip Scale Package，CSP)是一种新型的LED芯片的封装技术，由于CSP省去了载片基板，降低了由载片基板引起的系统热阻的增加，使获得的LED芯片大电流的承载能力又得到进一步提高，同时，缩短了制程，降低了生产成本，所以在照明市场上的占有率越来越高。申请号为201510130969.5的专利公开了采用CSP技术进行封装的具体方法。

现有技术中，蓝宝石衬底GaN基LED的无基板CSP芯片在使用中存在的一个突出问题是，封装胶与LED芯片本体的粘附力较差。在LED芯片的制备过程和使用过程中，封装胶与LED芯片本体容易分离并剥落，造成包封在LED芯片上的封装胶脱落，导致LED芯片成为为无封装的LED裸片，封装胶失去作用。这种脱落问题，在封装胶为掺入高组分荧光粉的荧光胶中的CSP中尤为突出。

因此，提供一种氧化硅全包封LED芯片及其制备方法，增加封装胶与LED芯片本体的粘附力、是本领域亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种氧化硅全包封LED芯片及其制备方法，增加封装胶与LED芯片本体的粘附力。

为了解决上述技术问题，本发明提出一种氧化硅全包封LED芯片，包括：LED芯片本体、氧化硅层和封装胶；

LED芯片本体，包括：衬底层、外延层、N电极和P电极；外延层位于衬底层的一侧，氧化硅层覆盖衬底面，衬底面为衬底层远离外延层一侧的表面；

封装胶覆盖氧化硅层远离衬底层一侧的表面、氧化硅层的侧面、衬底层的侧面和外延层的侧面。

可选的，氧化硅层还覆盖，衬底层的侧面和外延层的侧面。

可选的，封装胶的材料为有机硅封装胶。

可选的，衬底层，为蓝宝石衬底；

外延层，包括：N半导体层、量子阱层和P半导体层；

N半导体层，位于衬底层远离氧化硅层的一侧，N半导体层远离衬底层一侧的表面包括：量子阱区域和N电极区域；

量子阱层，位于N半导体层远离衬底层的一侧，并覆盖量子阱区域；

P半导体层，位于量子阱层远离衬底层的一侧；

P电极，位于P半导体层远离衬底层的一侧，并与P半导体层相连接；

N电极，位于N半导体层远离衬底层的一侧，与N半导体层相连接并覆盖N电极区域。

可选的，氧化硅层，为厚度大于1000埃的氧化硅薄膜。

可选的，氧化硅层，为厚度不小于1000埃且不大于2000埃的氧化硅薄膜。

本发明还提出一种制备氧化硅全包封LED芯片的方法，包括：采用等离子化学气相沉积法，在衬底面上，生长包封LED芯片本体的氧化硅层。

本发明还提出一种制备氧化硅全包封LED芯片的方法，包括：