[发明专利]一种钪酸钆钇晶体及熔体法晶体生长方法在审
| 申请号： | 201711396801.4 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108060457A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 彭方;马孙明;王晓梅;郭玉勇 | 申请（专利权）人： | 苏州晶享嘉世光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/24 | 分类号： | C30B29/24;C30B11/00;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 | 代理人： | 段宇 |
| 地址： | 215152 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钪酸钆钇 晶体 熔体法 晶体生长 方法 | ||
1.一种钪酸钆钇晶体，其特征在于：钪酸钆钇晶体的分子式为Gd
2.一种根据权利要求1所述的钪酸钆钇晶体的熔体法晶体生长方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)混合原料，压制成形，获得晶体生长初始原料；
(2)晶体生长初始原料通过加热充分熔化，获得晶体生长初始熔体；
(3)采用晶体生长方法进行生长。
3.一种根据权利要求2所述的钪酸钆钇晶体的熔体法晶体生长方法，其特征在于：步骤(1)中原料至少包括Gd
4.根据权利要求3所述的钪酸钆钇晶体的熔体法晶体生长方法，其特征在于：所述原料经充分混合，压制成形，烧结后，获得晶体生长初始原料。
5.根据权利要求4所述的钪酸钆钇晶体的熔体法晶体生长方法，其特征在于：所述烧结温度范围为800-1500℃，烧结时间为10-72小时。
6.根据权利要求2所述的钪酸钆钇晶体的熔体法晶体生长方法，其特征在于：步骤(1)中原料为Gd
0.5(1-x)Gd
7.根据权利要求3所述的钪酸钆钇晶体的熔体法晶体生长方法，其特征在于：所述原料Gd
8.根据权利要求2所述的钪酸钆钇晶体的熔体法晶体生长方法，其特征在于：步骤(2)中晶体生长初始原料放入生长坩埚内，通过加热充分熔化，获得晶体生长初始熔体。
9.根据权利要求2所述的钪酸钆钇晶体的熔体法晶体生长方法，其特征在于：步骤(3)中晶体生长方法包括提拉法、坩埚下降法、温梯法或热交换法中的至少一种。
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