[发明专利]SiC肖特基二极管的制备方法及其结构在审
| 申请号： | 201711395441.6 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108321212A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 贾仁需;邵锦文;侯同晓;元磊;汤晓燕 | 申请（专利权）人： | 秦皇岛京河科学技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/16;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 066004 河北省秦皇岛市经济*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiC肖特基二极管的制备方法及其结构，该制备方法包括：选取SiC衬底层，在所述SiC衬底层上表面生长SiC外延层，在所述SiC外延层内形成P+区域，在所述SiC外延层上表面生长隔离介质层，刻蚀所述隔离介质层形成隔离窗口，并在所述隔离窗口中生长NiCr合金层形成肖特基接触，在所述隔离介质层和所述NiCr合金层上表面生长第一铜石墨烯层形成器件的阳极电极，在所述SiC衬底层下表面生长第一金属层形成欧姆接触，在所述第一金属层下表面生长第二金属层形成器件阴极电极，以完成所述SiC肖特基二极管的制备。本发明的利用NiCr材料与SiC之间接触调整势垒高度变化，进而减小肖特基势垒的高度，降低了SiC肖特基二极管的开启电压，达到减小漏电流和能耗、增大反向电压的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 生长 制备 隔离介质层 上表面 外延层 第一金属层 隔离窗口 合金层 下表面 减小 第二金属层 肖特基接触 肖特基势垒 反向电压 高度变化 开启电压 欧姆接触 器件阴极 石墨烯层 阳极电极 漏电流 电极 刻蚀 势垒 能耗 | ||
【主权项】：
1.一种SiC肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：选取SiC衬底层；在所述SiC衬底层上表面生长SiC外延层；在所述SiC外延层内形成P+区域；在所述SiC外延层上表面生长隔离介质层；刻蚀所述隔离介质层形成隔离窗口，并在所述隔离窗口中生长NiCr合金层形成肖特基接触；在所述隔离介质层和所述NiCr合金层上表面生长第一铜石墨烯层形成器件的阳极电极；在所述SiC衬底层下表面生长第一金属层形成欧姆接触；在所述第一金属层下表面生长第二金属层形成器件的阴极电极，以完成所述SiC肖特基二极管的制备。
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