[发明专利]共接触部半导体器件封装有效
申请号: | 201711374979.9 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN108242436B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 赵应山 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技美洲公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L25/07;H01L21/58 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种共接触部半导体器件封装。具体而言,一种半导体器件封装,包括导电夹,所述导电夹具有凹部并且被配置为沿着限定所述凹部的边界的第一表面和第二表面安装到衬底,并且所述半导体器件封装包括至少两个垂直沟道晶体管,所述至少两个垂直沟道晶体管具有相同的类型并且以相同的取向安装在所述凹部内,使得漏极接触部或源极接触部耦合到所述导电夹,并且使得栅极接触部和源极接触部或漏极接触部延伸而在所述凹部内被暴露并且沿着所述导电夹的相同长轴延伸。 | ||
搜索关键词: | 接触 半导体器件 封装 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件封装,包括:导电夹,所述导电夹包括凹部并且被配置为沿着限定所述凹部的边界的第一表面和第二表面安装到衬底;以及至少两个垂直沟道晶体管,所述至少两个垂直沟道晶体管具有相同的类型并且以相同的取向安装在所述凹部内,使得漏极接触部或源极接触部耦合到所述导电夹,并且使得栅极接触部和源极接触部或漏极接触部延伸而在所述凹部内被暴露并且沿着所述导电夹的相同长轴延伸。
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